Ga-,n-As-,8-n-（n=0-8）團簇隨組份的變化特性研究.pdf

1、本文先對半導體團簇GaAs的研究現(xiàn)狀、存在問題等作了詳細的介紹，然后采用全勢能線性糕模軌道分子動力學(FP-LMTO-MD)方法系統(tǒng)研究了Ga8-n Asn(n=0-8)團簇。FP-LMTO-MD方法采用了全勢能，計算精度比較高，是目前計算團簇(包括固體和固體表面)幾何結構和電子結構的最好方法之一。 在團簇科學中，半導體團簇越來越受到人們的重視。其中Si和Ge團簇的許多成果已經(jīng)得到了公認，并且團簇的原子數(shù)目已近百個。GaAs團簇

2、在微電子和光電領域中有重要作用，但目前的研究主要針對原子數(shù)目比較少GaAs團簇。得到了一些基態(tài)結構，還對結構畸變的原因和HOMO-LUMO之間的能隙等進行了探討。對原子數(shù)目較大的GaAs團簇基本上沒人研究過，就是小GaAs團簇，其基態(tài)結構也存在著較大分歧。這些研究大都集中在GanAsn團簇(Ga原子數(shù)目和As原子數(shù)相等)上，對Ga和As原子數(shù)不等的團簇研究還非常少。 為了進一步了解GaAs團簇結構演化規(guī)律，我們用FP-LMTO-

3、MD方法系統(tǒng)研究了Ga8-n Asn(n=O-8)團簇。我們得到了大量的穩(wěn)定結構，發(fā)現(xiàn)大多數(shù)Ga8-n Asn(n=O-8)團簇的基態(tài)結構是立方結構，但Ga4As4和Ga5As3團簇的基態(tài)結構發(fā)生嚴重的畸變，和立方結構相差很大。對Gah8-n Asn(n=0-8)離子團簇研究發(fā)現(xiàn)，有的離子團簇基態(tài)結構會發(fā)生重大畸變，完全不同于其中性團簇；還有部分離子團簇，雖然幾何結構沒發(fā)生畸變，但它們的能量順序會發(fā)生翻轉。對這些團簇基態(tài)結構的HOMO-