改進(jìn)型共源共柵電流鏡設(shè)計(jì)報(bào)告

1、前言：前言：本文謹(jǐn)獻(xiàn)給有共同興趣愛好的同學(xué)們，以互相討論共同進(jìn)步。由于本人是初學(xué)者，文中難免有誤，真誠希望同學(xué)和前輩們批評(píng)指正；在設(shè)計(jì)過程中走過不少彎路，深知其中的困難，為了共同的提高，茲特共享此文。真誠期待喜歡模擬又切實(shí)投入時(shí)間探討的同學(xué)加為好友：.改進(jìn)型共源共柵電流鏡設(shè)計(jì)報(bào)告改進(jìn)型共源共柵電流鏡設(shè)計(jì)報(bào)告Auth:WANGQQ【摘要】：本文力圖嚴(yán)謹(jǐn)、細(xì)致和全面地把一個(gè)典型的電流鏡設(shè)計(jì)過程呈現(xiàn)給讀者，該文探討的是改進(jìn)過的低輸出電壓高輸出

2、電阻的電流鏡設(shè)計(jì)?！娟P(guān)鍵字】：共源共柵、高輸出電阻、低輸出電壓一一邊界條件邊界條件1.1工藝規(guī)范工藝規(guī)范(1)硅晶體的一些常數(shù)硅帶隙0GV1.205V(300K)波爾茲曼常數(shù)k1.38e23JK本征載流子濃度(@300K)in1.45e103cm?真空介電常數(shù)0?8.85e14Fcm硅介電常數(shù)011.7si??A1.05e12Fcm二氧化硅介電常數(shù)03.9ox??A3.5e13Fcm電子電荷q1.6e19C(2)制造工藝0.5umCOM

3、SN_WELL3metal1poly(3)SPICELEVEL1COMS體工藝模型參數(shù)MOSFETN_channelP_channel閾值電壓0TV0.6431V0.6614V本征導(dǎo)電因子(跨導(dǎo)參數(shù))KP123e62AV37.9e62AV體效應(yīng)因子?0.6312V0.6712V三三確定電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)確定電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)選擇的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示：123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDa

4、te:17Oct2006SheetofFile:D:e0___exerciseanalog_cmos_ic_designA00___projectcurrent_mirr.ddbDrawnBy:MN2MN4MN3MNBMN1IINIBRLVDGND14235其中：每個(gè)MOSFET的襯底都接地，(WL)1=(WL)2(WL)3=(WL)4.通過大信號(hào)直流工作點(diǎn)分析和小信號(hào)等效電路分析（對(duì)不起，這部分分析是電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，希望大家看相關(guān)的資

5、料，這里就不詳細(xì)展開了。），可以知道該電路的特點(diǎn)如下：1.小信號(hào)輸入電阻低（～1gm1）2.輸入端工作電壓低（）11112max()TMAXTIinVVVKPWL????3.小信號(hào)輸出電阻高（）23333[1()]outdsmmbdsdsrrggrr????4.輸出端最小工作電壓低（）43~2(@2)MAXTMAXVVVV????四四設(shè)計(jì)變量初始估算設(shè)計(jì)變量初始估算4.1確定確定(WL)1、（WL）2為了計(jì)算設(shè)計(jì)變量，我們有必要了解電路