半導(dǎo)體物理學(xué)題庫(kù)

1、1填空題填空題1能帶中載流子的有效質(zhì)量反比于能量函數(shù)對(duì)于波矢的_________，引入有效質(zhì)量的意義在于其反映了晶體材料的_________的作用。（二階導(dǎo)數(shù)，內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)）2半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度取決于導(dǎo)帶的_________（即量子態(tài)按能量如何分布）和_________（即電子在不同能量的量子態(tài)上如何分布）。（狀態(tài)密度，費(fèi)米分布函數(shù)）3兩種不同半導(dǎo)體接觸后費(fèi)米能級(jí)較高的半導(dǎo)體界面一側(cè)帶________電，達(dá)到熱平衡后兩者的費(fèi)米能級(jí)___

2、_____。（正，相等）4半導(dǎo)體硅的價(jià)帶極大值位于空間第一布里淵區(qū)的中央，其導(dǎo)帶極小值位于________方向上距布里淵區(qū)邊界約0.85倍處，因此屬于_________半導(dǎo)體。（[100]，間接帶隙）5間隙原子和空位成對(duì)出現(xiàn)的點(diǎn)缺陷稱(chēng)為_(kāi)________；形成原子空位而無(wú)間隙原子的點(diǎn)缺陷稱(chēng)為_(kāi)_______。（弗侖克耳缺陷，肖特基缺陷）6在一定溫度下，與費(fèi)米能級(jí)持平的量子態(tài)上的電子占據(jù)概率為_(kāi)________，高于費(fèi)米能級(jí)2kT能級(jí)處的

3、占據(jù)概率為_(kāi)________。（12，11exp(2)）7從能帶角度來(lái)看，鍺、硅屬于_________半導(dǎo)體，而砷化稼屬于_________半導(dǎo)體，后者有利于光子的吸收和發(fā)射。（間接帶隙，直接帶隙）8通常把服從_________的電子系統(tǒng)稱(chēng)為非簡(jiǎn)并性系統(tǒng)，服從_________的電子系統(tǒng)稱(chēng)為簡(jiǎn)并性系統(tǒng)。（玻爾茲曼分布，費(fèi)米分布）9.對(duì)于同一種半導(dǎo)體材料其電子濃度和空穴濃度的乘積與_________有關(guān)，而對(duì)于不同的半導(dǎo)體材料其濃度積在一

4、定的溫度下將取決于_________的大小。（溫度，禁帶寬度）10.半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)式多種多樣的，常見(jiàn)的Ge和Si材料，其原子均通過(guò)共價(jià)鍵四面體相互結(jié)合，屬于________結(jié)構(gòu)；與Ge和Si晶格結(jié)構(gòu)類(lèi)似，兩種不同元素形成的化合物半導(dǎo)體通過(guò)共價(jià)鍵四面體還可以形成_________和纖鋅礦等兩種晶格結(jié)構(gòu)。（金剛石，閃鋅礦）11.如果電子從價(jià)帶頂躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)波矢k不發(fā)生變化，則具有這種能帶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱(chēng)為_(kāi)________禁帶半導(dǎo)體，否則

5、稱(chēng)為_(kāi)________禁帶半導(dǎo)體。（直接，間接）12.半導(dǎo)體載流子在輸運(yùn)過(guò)程中，會(huì)受到各種散射機(jī)構(gòu)的散射，主要散射機(jī)構(gòu)有_________、_________、中性雜質(zhì)散射、位錯(cuò)散射、載流子間的散射和等價(jià)能谷間散射。（電離雜質(zhì)的散射，晶格振動(dòng)的散射）13.半導(dǎo)體中的載流子復(fù)合可以有很多途徑，主要有兩大類(lèi)：_________的直接復(fù)合和通過(guò)禁帶內(nèi)的_________進(jìn)行復(fù)合。（電子和空穴，復(fù)合中心）10.對(duì)大注入條件下，在一定的溫度下，非

6、平衡載流子的壽命與（D）。A平衡載流子濃度成正比B非平衡載流子濃度成正比C平衡載流子濃度成反比D非平衡載流子濃度成反比11.重空穴是指（C）A.質(zhì)量較大的原子組成的半導(dǎo)體中的空穴B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴D.自旋－軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴12.電子在導(dǎo)帶能級(jí)中分布的概率表達(dá)式是（C）。A.B.C.D.0exp()DcEEkT??0exp()cDEEkT??0exp()cFEEkT?

7、?0exp()FcEEkT??13.如在半導(dǎo)體中以長(zhǎng)聲學(xué)波為主要散射機(jī)構(gòu)是，電子的遷移率與溫度的（B）。n?A.平方成正比B.次方成反比23C.平方成反比D.次方成正比2314.把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（D）。A.改變禁帶寬度B.產(chǎn)生復(fù)合中心C.產(chǎn)生空穴陷阱D.產(chǎn)生等電子陷阱15.一般半導(dǎo)體器件使用溫度不能超過(guò)一定的溫度，這是因?yàn)檩d流子濃度主要來(lái)源于_________，而將_________忽略不計(jì)