學生卷-二林工商

1、國立二林工商電子電路科試卷單元：第一章：電子電路元件老師：班級：姓名：座號：一.單選題(每題０分)1、(A)下列有關電晶體之描述何者錯誤？(Ａ)BJT之構造是對稱的，因此射極與集極可對調(diào)使用(Ｂ)FET的優(yōu)點之一為其（低頻）輸入阻抗甚高(Ｃ)若BJT的基極與射極之接面為順向偏壓，基極與集極之接面亦為順向偏壓，則該BJT工作在飽和區(qū)(Ｄ)為使BJT具有線性放大作用，必須偏壓在作用區(qū)(activeregion)2、(C)目前使用中的大型積體

2、電路(LSI)，以互補金氧半(CMOS)場效電晶體最佳，其主要是因為(Ａ)製造容易，價格低廉(Ｂ)對雜訊免除性佳(Ｃ)其消耗功率極小(Ｄ)其交換速率快3、(C)電晶體的共基極(CB)、共射極(CE)、共集極(CC)三種組態(tài)中，下列何者敘述錯誤？(Ａ)CB的電流增益最低(Ｂ)CC的電壓增益最低(Ｃ)CC的輸入阻抗最低(Ｄ)CE的功率增益最大4、(B)如圖所示，此電路在V1=VDD時，下列敘述何者錯誤？(Ａ)Vo=0V(Ｂ)Q1導通(Ｃ)Q

3、2導通(Ｄ)Q1截止5、(B)CS9014為(Ａ)PNP電晶體(Ｂ)NPN電晶體(Ｃ)FET(Ｄ)SCR6、(C)下列對CMOS的敘述何者為錯誤？(Ａ)CMOS的工作電壓約為3～15V(Ｂ)CMOS的扇出數(shù)很高(Ｃ)CMOSN閘，部分不用的輸入端最好接到VDD端，以確保電路正常工作(Ｄ)CMOS的傳輸延遲時間比TTL長7、(B)如圖所示，741IC外接VR的目的在於調(diào)整(Ａ)轉(zhuǎn)動率(Ｂ)輸入偏移電壓(inputoffsetvoltage

4、)(Ｃ)電壓增益(Ｄ)輸入阻抗8、(D)理想運算放大器之頻寬為(Ａ)0(Ｂ)100kHz(Ｃ)10MHz(Ｄ)∞9、(D)所謂理想二極體，下列敘述何者錯誤？(Ａ)順向時視為短路，逆向時視為開路(Ｂ)順向時電阻為零，逆向時電阻無限大(Ｃ)無順向壓降，無逆向電流(Ｄ)順向壓降為零，逆向電流無窮大10、(D)下列敘述何者不正確？(Ａ)BJT電晶體為雙極性(bipolar)電晶體(Ｂ)MOSFET為單極性(unipolar)電晶體(Ｃ)一般BJ

5、T電晶體的輸入阻抗比MOSFET的輸入阻抗小(Ｄ)MOSFET為一種電流控制元件3二.問答題(每題０分)1、有一JFET，若夾止電壓VP=?7V，IDSS=9mA，求(1)VGS=?1V及(2)VGS=?2V時的IDS值。2、試問一個理想的運算放大器，需具備那些特性？3、運算放大器其內(nèi)部結構包含那幾個部分？4、試述積體電路的分類。5、電晶體工作於順向作用區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)時各接合面各需什麼偏壓？6、運算放大器IC，有那幾種通用的包裝？7