15114.基于薄膜打拿極的微通道板研究

1、分類號：密級：可公開UDC：編號：基于基于薄膜打拿極薄膜打拿極的微通道板微通道板研究研究INVESTIGATIONOFMICROCHANNELPLATEBASEDONFILMDYNODE學(xué)位授予單位及代碼：長春理工大學(xué)（10186）學(xué)科專業(yè)名稱及代碼：物理電子學(xué)（077401）研究方向：光電成像器件與系統(tǒng)申請學(xué)位級別：碩士指導(dǎo)教師：端木慶鐸研究生：翟耘萱論文起止時間：2013.09—2015.12I摘要針對傳統(tǒng)微通道板氫還原過程中微通道

2、板器件的電阻和增益相互制約的矛盾，本文設(shè)計并制備出一種基于薄膜打拿極的微通道板。本文選取了AZO（ZnO和Al2O3的復(fù)合薄膜）做為薄膜打拿極的導(dǎo)電層材料，SiO2做為薄膜打拿極的發(fā)射層材料，設(shè)計了打拿極導(dǎo)電層的厚度是250μm，而發(fā)射層得厚度為5nm，根據(jù)理論分析，模擬了微通道板電子增益函數(shù)，通過實驗研究提出了以原子層沉積技術(shù)為基礎(chǔ)的薄膜打拿極微通道板的工藝制備方案，制備了薄膜打拿極微通道板器件，測試了器件的電阻和電子增益。微通道板器