改進(jìn)型March算法在內(nèi)存異常檢測(cè)中的應(yīng)用.pdf

1、隨著深亞微米VLSI技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器密度的增長(zhǎng)使存儲(chǔ)器的測(cè)試面臨著更大的挑戰(zhàn)。而隨著半導(dǎo)體工藝尺寸不斷縮小，存儲(chǔ)器可能存在的故障類型越來(lái)越多，使得測(cè)試時(shí)間和測(cè)試成本都急劇增長(zhǎng)。因此，存儲(chǔ)器測(cè)試方法的研究日益受到重視。在可以接受的測(cè)試費(fèi)用和測(cè)試時(shí)間的限制下，準(zhǔn)確的故障模型和有效的測(cè)試算法是至關(guān)重要的，存儲(chǔ)器測(cè)試算法的選擇以及測(cè)試的實(shí)現(xiàn)方法是存儲(chǔ)器測(cè)試的關(guān)鍵。 本文介紹了存儲(chǔ)器測(cè)試的應(yīng)用現(xiàn)狀，目前對(duì)于存儲(chǔ)器的測(cè)試方法，總結(jié)了存儲(chǔ)器

2、傳統(tǒng)的故障模型和內(nèi)存測(cè)試算法，詳細(xì)分析了March算法的優(yōu)勢(shì)、演變及各改進(jìn)算法的特點(diǎn)。 雖然PC產(chǎn)品的各部件在進(jìn)入電腦工廠前產(chǎn)品都有經(jīng)過(guò)測(cè)試，PC產(chǎn)品的一些主要部件在客戶使用后故障率仍然是居高不下的，因此PC產(chǎn)品的整機(jī)測(cè)試包括存儲(chǔ)器的測(cè)試仍然是非常必要的。而隨著存儲(chǔ)器容量的增大，測(cè)試時(shí)間正日益成為測(cè)試過(guò)程中不可忽視的瓶頸。 針對(duì)這一情況，本文以March測(cè)試算法為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)出一種改進(jìn)型March算法——Narch—TBL

3、算法，該算法在故障覆蓋率不變的情況下，大大減少了測(cè)試時(shí)間。原有的March算法中很多操作步都是為了區(qū)別出不同的故障類型，而在計(jì)算機(jī)整機(jī)的產(chǎn)品測(cè)試中，對(duì)存儲(chǔ)器的測(cè)試要求是故障覆蓋率較高的同時(shí)測(cè)試時(shí)間盡量縮短，對(duì)于區(qū)別不同的故障則不做要求。因此可以通過(guò)縮減這一部分的測(cè)試達(dá)到優(yōu)化的目的。本文最后設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)一個(gè)基于該改進(jìn)型算法的內(nèi)存檢測(cè)原型程序，對(duì)所設(shè)計(jì)的內(nèi)存檢測(cè)原型程序的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了介紹，列出了其設(shè)計(jì)和運(yùn)行效果，用以驗(yàn)證該算法的有效性。