無鋁大功率量子阱激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料的SSMBE生長(zhǎng).pdf

1、本文以無鋁化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)及其物理特性研究為研究方向，文獻(xiàn)調(diào)研和探討了無鋁化合物半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展；闡述了分子束外延設(shè)備原理和無鋁半導(dǎo)體外延層的表征方法；深入研究了MBE生長(zhǎng)工藝對(duì)InGaP/GaAs異質(zhì)材料的表面形貌以及生長(zhǎng)模式的影響及其規(guī)律；利用Raman光譜，分析其有序化的變化規(guī)律，實(shí)現(xiàn)了主要參數(shù)對(duì)組份影響的預(yù)測(cè)。主要成果和創(chuàng)新點(diǎn)如下： 1．通過對(duì)大光腔無鋁半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，從理論上得到實(shí)現(xiàn)量子阱激光器大功率

2、運(yùn)轉(zhuǎn)所需各外延層的厚度設(shè)計(jì)，對(duì)激光器無鋁材料的外延生長(zhǎng)提供了理論依據(jù)。 2．通過生長(zhǎng)參數(shù)和材料性能的綜合實(shí)驗(yàn)研究，分析和討論了生長(zhǎng)溫度、In/Ga比、V/III比等參數(shù)對(duì)材料組分和表面形貌的影響，獲得了晶格失配度在10<'-4>量級(jí)的InGaP/GaAs異質(zhì)外延材料。 3．通過InGaP/GaAs異質(zhì)外延材料的拉曼光譜研究，結(jié)果顯示出InGaP合金的雙模模式，即2個(gè)縱光學(xué)聲子模和2個(gè)橫光學(xué)聲子模；TO<,2>和LO<,1