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文檔簡介
1、對稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)激光器中，非有源區(qū)材料對光子的吸收與其摻雜濃度成正比關(guān)系，吸收損耗比較嚴重。為了解決此問題，本文設(shè)計一種非對稱的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，將光場偏離p型材料，以降低光場模式分布同高摻雜的p型材料層的交疊比例，減小了材料對光子的吸收損耗。
本論文使用LASTIP軟件對發(fā)光波長為808nm的無鋁量子阱激光器結(jié)構(gòu)進行了設(shè)計，采用分別限制異質(zhì)單量子阱結(jié)構(gòu)，對In1-xGaxAsyP1-y材料組分進行了理論計算，并對量子阱的阱寬，波導(dǎo)層材料
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