WET洗凈能力提升的研究.pdf

1、集成電路制造過程中的濕法洗凈工藝，主要是指以UPW(U1tra-PureD1water，超純水)、UPC(Ultra-Purechemical，超純藥液)、UPG(Ultra—PureGas，超純氣體)來去除硅片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、有機雜質、自然生長氧化膜等的半導體制造工藝技術。 在整個工藝流程中，WET洗凈工序約占整個工藝流程的20﹪以上，洗凈能力的提高已經(jīng)刻不容緩。由于現(xiàn)階段使用的多槽批式處理的洗凈工藝，在受到多槽

2、式設備本身技術參數(shù)的限制下，為滿足Foundry業(yè)務不斷增長，且不同產(chǎn)品的需要，怎樣充分利用現(xiàn)有的條件，將洗凈工藝進行優(yōu)化，對現(xiàn)有的洗凈設備的洗凈能力優(yōu)化，提高整個洗凈工藝的性能，對保證整個工藝線的穩(wěn)定有著重要意義。 本文分析了現(xiàn)階段洗凈工藝的發(fā)展與原理，并針對工作中所碰到有關的洗凈工藝的問題，進行了調查并采取了優(yōu)化措施，使現(xiàn)有設備的洗凈能力有所提高，以適應不斷發(fā)展的技術要求。其主要的工作如下： 在設備的狀態(tài)與參數(shù)方面，

3、對其藥液濃度進行了監(jiān)控和調整；對藥液的溫度進行了監(jiān)測與控制；對水槽內純水電阻率進行了測試，并通過分組實驗的方法，對各RINSE的結果進行測試，找到了最優(yōu)的方法；對超聲波功率的調整與比較，找出了最佳的功率范圍。 在洗凈流程的確認中，對SPM藥液的洗凈效果進行了調查與相關的改善，同時對APM藥液的洗凈效果進行了調查與確認。并且根據(jù)現(xiàn)有的工藝模式，建立了相關的洗凈工藝的原則，使得洗凈工藝能夠在不同場合中有對應的應用標準。 同時