EMI用高介X8R介質(zhì)材料研究.pdf

1、該論文研究了低頻高介X8R系列EMI用濾波電容器陶瓷材料及其制備方法。 論文利用金屬-電介質(zhì)復(fù)合法將金屬單質(zhì)M添加到BaTiO3基體材料中，分析了金屬-電介質(zhì)復(fù)合材料的內(nèi)部作用機(jī)理。金屬在高溫熔融狀態(tài)下與電介質(zhì)之間的相互作用關(guān)系可由滲透理論來描述。 實(shí)驗(yàn)中通過對(duì)金屬-電介質(zhì)復(fù)合材料體系合成工藝的探索、助熔劑的選用及燒結(jié)條件的研究，使得該復(fù)合材料能夠適應(yīng)EMI濾波電容器對(duì)大電容量的要求，得到了性能優(yōu)良的新型中溫?zé)Y(jié)X8R電

2、介質(zhì)材料。 其各項(xiàng)性能指標(biāo)如下所示(燒結(jié)溫度1150℃)： 介電常數(shù)：ε≥5200容量變化率：△C/C≤±15％(-55℃～+150℃)介質(zhì)損耗：tgδ≤1.5％絕緣電阻率：ρv≥2×1011Ω·cm 實(shí)驗(yàn)還在以前研究的基礎(chǔ)上利用先驅(qū)體B位復(fù)合取代法制備高介電常數(shù)BaTiO3-NiNb2O6-MnNb2O6系統(tǒng)陶瓷材料，并加入適量助熔劑實(shí)現(xiàn)中溫?zé)Y(jié)，使材料可以使用Pd30％-Ag70％的材料作為內(nèi)電極。制備出性能