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1、本文設(shè)計(jì)制造出了一件X波段高功率T/R組件,該T/R組件對(duì)于有源相控陣?yán)走_(dá)的研制有重要的意義。它是構(gòu)成有源相控陣?yán)走_(dá)的核心部件之一,所以對(duì)T/R組件的各個(gè)性能提出了很高的要求。該組件的設(shè)計(jì)是以MMIC電路和微電子技術(shù)為基礎(chǔ),同時(shí)也利用LTCC多層微帶基板的基礎(chǔ)上,集成了一片或者多片多功能單片微波集成電路,利用微電子互連而成。這個(gè)組件具有重量輕、體積小、一致性好、性能指標(biāo)高的特點(diǎn)。 因?yàn)樵跀?shù)量相同的一組T/R組件中合成發(fā)射功率越大
2、,其雷達(dá)照射的范圍則越大,其性能也就越好,所以研究高功率T/R組件顯得非常重要。我們?cè)谠O(shè)計(jì)T/R組件時(shí),最關(guān)鍵的是功率放大模塊。本文中也設(shè)計(jì)了一種平衡放大器作為發(fā)射通道的末級(jí)功率放大器,它運(yùn)用了兩只功率放大器裸芯片和一個(gè)Wilkinson耦合器設(shè)計(jì)了一個(gè)平衡放大器作為發(fā)射通道的高功率末級(jí)功率放大器。詳細(xì)討論電磁兼容分析和裝配工藝,充分利用了混合集成電路(HMIC)和多芯片組裝(MCM)相結(jié)合的技術(shù),該平衡放大器能實(shí)現(xiàn)17.5W的高功率,
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