SiGe器件電路模型參數(shù)提取.pdf

1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的快速增長(zhǎng)，基于Si工藝的半導(dǎo)體器件和集成電路已不能滿足其發(fā)展需求。SiGe器件憑借其頻率特性好、噪聲系數(shù)低、集成度高、成本低以及與傳統(tǒng)Si工藝相兼容的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)了在無(wú)線通信領(lǐng)域的發(fā)展?jié)摿Α?br>　　器件的工藝生產(chǎn)和電路的設(shè)計(jì)制造都離不開(kāi)器件模型的參數(shù)提取，因此對(duì)SiGe器件及其參數(shù)提取技術(shù)進(jìn)行研究具有重要的意義。論文通過(guò)對(duì)器件電路模型VBIC和MOS LEVEL3的分析，提出了相應(yīng)的模型參數(shù)提取方法，建立了模型參數(shù)提

2、取策略，并將該策略成功地應(yīng)用到SiGe HBT器件VBIC模型和應(yīng)變Si PMOS器件MOS LEVEL3模型的參數(shù)提取中，獲得了較好的研究結(jié)果。
　　通過(guò)對(duì)SiGe HBT器件直流特性和頻率特性分析，提出了SiGe HBT器件電學(xué)參數(shù)與結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系及優(yōu)化設(shè)計(jì)原則。利用二維數(shù)值模擬軟件Medici對(duì)器件進(jìn)行了模擬仿真，設(shè)計(jì)出了平面結(jié)構(gòu)的SiGe HBT器件，并在中電集團(tuán)24所進(jìn)行了流片實(shí)驗(yàn)。測(cè)試結(jié)果顯示其共射極電流增益β達(dá)到20

3、0，截止頻率為2.7GHz。
　　分析了并修改了VBIC器件模型，提出了模型主要參數(shù)的提取方法，并建立了相應(yīng)的器件模型參數(shù)提取策略。利用器件的測(cè)試數(shù)據(jù)，提取了平面結(jié)構(gòu) SiGe HBT器件VBIC模型的電流模型參數(shù)。器件傳輸飽和電流IS為5.878E-16A，正、反向厄利電壓VEF、VER分別為25.19V和3.187V。
　　在 MOS LEVEL3器件模型的研究基礎(chǔ)上，提出了應(yīng)變 Si PMOSFET MOS LEVEL