反應(yīng)磁控濺射制備TiAlON選擇性吸收薄膜的研究.pdf

1、本文采用反應(yīng)磁控濺射制備了具有不同成分和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的TiAlON吸收層薄膜和完整結(jié)構(gòu)的TiAlON太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜，并對(duì)制備的TiAlON太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜進(jìn)行中高溫度下的薄膜抗氧化性實(shí)驗(yàn)。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)和電子探針(EDS)對(duì)薄膜的微觀組織結(jié)構(gòu)、元素比例、相組成以及晶體生長(zhǎng)方式進(jìn)行了檢測(cè)分析;使用雙電測(cè)四探針測(cè)試儀對(duì)多層膜的方塊電阻進(jìn)行了測(cè)試分析，得到薄膜在2.5μm～25μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的平均紅

2、外發(fā)射率;利用紫外-可見(jiàn)-近紅外分光光度計(jì)測(cè)試了薄膜在300nm～2500nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)薄膜的透過(guò)率和反射率，得到薄膜在該波長(zhǎng)范圍內(nèi)的吸收率。對(duì)利用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)制備的TiAlON太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜的結(jié)構(gòu)、物相構(gòu)成、吸收特性和抗氧化性進(jìn)行分析，期望為后續(xù)的TiAlON太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜的研究奠定基礎(chǔ)。
　　研究結(jié)果表明，采用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)可以獲得具有不同亞層結(jié)構(gòu)的TiAlON吸收層薄膜。制備的TiAlON薄膜的主要物相為具

3、有在(200)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)的(Ti，Al)(O，N)，它的結(jié)構(gòu)是以面心立方結(jié)構(gòu)的TiN晶體為母板的。同時(shí)制備的TiAlON吸收層薄膜都具備了較好的吸收性能。
　　具有完整結(jié)構(gòu)的TiAlON太陽(yáng)能選擇性吸收薄膜的主要物相仍為具有在(200)晶面擇優(yōu)生長(zhǎng)的(Ti，Al)(O，N)。由于加入了減反射層的結(jié)構(gòu)，薄膜在設(shè)定吸收范圍內(nèi)的光吸收率明顯優(yōu)于TiAlON吸收層薄膜;在加入高紅外反射層結(jié)構(gòu)后，薄膜的紅外發(fā)射率與TiAlON吸收層薄膜維