離子注入硅退火及退火過程熱力學(xué)研究.pdf

1、分類號VDC博士學(xué)位論文密級離子注入硅退火及退火過程熱力學(xué)研究’一‘一一’●Researchonannealingofionimplantedsiliconandthermodynamicsintheprocessofannealing作者姓名：羅益民學(xué)科專業(yè)：材料學(xué)學(xué)院(系、所)：材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師：陳振華教授論文答辯日期刎汐f7肜答辯委員會主席中南大學(xué)2010年5月原創(chuàng)性聲明＼mY㈣1m9㈣1Ⅲm7帆9l＼訊2106礬本人聲明，

2、所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了論文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得中南大學(xué)或其他單位的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我共同工作的同志對本研究所作的貢獻均已在論文中作了明確的說明。作者簽名：日期：』盟年jL月掣日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本人了解中南大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留學(xué)位論文并根據(jù)國家或湖南省有關(guān)部門規(guī)定送