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文檔簡介
1、LDMOS(Lateral Double．Diffused MOSFET)作為一種橫向功率器件，其電極均位于器件表面，易于通過內(nèi)部連接實(shí)現(xiàn)與低壓信號(hào)電路以及其它器件的單片集成，同時(shí)又具有耐壓高、增益大、失真低等優(yōu)點(diǎn)，如今已被廣泛應(yīng)用于功率集成電路中。這當(dāng)中，LDMOS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的優(yōu)劣以及LDMOS自身工作的可靠性決定了整個(gè)功率集成電路的性能。傳統(tǒng)LDMOS的設(shè)計(jì)主要圍繞著擊穿電壓和導(dǎo)通電阻之間的合理折衷來進(jìn)行，但由于功率集成電路自身大電流
2、、高電壓的特點(diǎn)，其許多應(yīng)用都要求在高溫下工作，因而對LDMOS的安全工作區(qū)進(jìn)行設(shè)計(jì)也是必不可少的。因而需要對三者綜合考慮，以提高器件性能。
首先，本文回顧了功率器件的發(fā)展歷史，接著介紹了幾種結(jié)終端技術(shù)，如場極板、場限環(huán)、橫向變摻雜等，這些結(jié)終端技術(shù)在LDMOS的設(shè)計(jì)中被普遍運(yùn)用；
其次，對LDMOS進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，利用MEDICI對其進(jìn)行器件仿真和利用TSUPREM-4對其進(jìn)行工藝仿真，并給出了完整的工藝流程；
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