高頻功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及并聯(lián)特性研究.pdf

1、目前，用于晶體生長的區(qū)熔式單晶爐配套使用的是國外進(jìn)口或國內(nèi)生產(chǎn)的真空電子管式高頻感應(yīng)加熱電源，存在諸如可靠性差、電子管使用壽命短、操作不安全、變換效率低等問題。由于工作頻率非常高(1MHz～2.5MHz)，現(xiàn)有技術(shù)成熟的大容量全固態(tài)感應(yīng)加熱電源幾乎無法滿足要求。因此，設(shè)計(jì)并生產(chǎn)超高頻的全固態(tài)感應(yīng)加熱電源變得尤為重要。本課題就是基于這種需要，研究背景選定為高頻(1MHz～2.5MHz)情況下采用功率MOSFET為主器件的多管并聯(lián)逆變電源，

2、因此高頻情況下的功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路以及在并聯(lián)時(shí)出現(xiàn)的問題成為主要的研究對象，這些為以后電源裝置的設(shè)計(jì)調(diào)試、減少器件成本及提高工作效率提供良好的前期準(zhǔn)備。本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求，對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)由于不同