籽晶背面鍍膜對SiC晶體質量的影響.pdf

1、SiC作為新一代半導體材料,具有廣闊的應用前景;而在晶體生長過程中產生的缺陷對晶體的質量產生了重要的影響。本文根據SiC晶體中的微管、熱分解空腔和六方空洞的產生的機理和抑制方法,針對2英寸SiC單晶生長工藝,提出了一種保護籽晶的方法,即通過直流反應濺射法在籽晶背面鍍一層致密、均勻耐高溫的TiN薄膜。最后使用這種籽晶生長SiC晶體樣品,采用顯微觀測和X射線衍射(XRD)測試手段,對籽晶背面升華狀況、樣品生長前端的表面形貌、缺陷密度、半峰寬

2、等進行測試分析,得出如下主要結論:
　　1)在SiC晶體生長工藝中,由于粘接劑的涂抹不均勻,會在籽晶的背面產生一些空洞,此空洞在晶體生長過程中會促使籽晶背面升華,導致各種缺陷的產生,影響SiC晶體質量。
　　2)在相同的晶體生長條件下,通過對籽晶背面鍍膜和未鍍膜的實驗樣品進行對比,結果顯示籽晶背面鍍膜后其背面沒有發(fā)生升華現象,并且生長出的晶體中未觀察到熱分解空腔和六方空洞,并且從晶體的生長前端的表面形貌觀測得出籽晶背面鍍膜的