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1、Yb3+的電子構型僅有一個基態(tài)和激發(fā)態(tài)，無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換，YAG有優(yōu)良的機械性能，Yb3+離子吸收帶寬，能與InGaAs二極管泵浦源有效的耦合，可以獲得1030nm激光輸出，可以實現(xiàn)高濃度的摻雜，使Yb：YAG晶體更具特色。 本文對5N的原料進行合成，并用X-射線進行了表征，可以得到YAG相的高純原料，用CZ法生長了摻雜濃度為5﹪的Yb：YAG晶體，對晶體的生長工藝進行了研究如：溫場結構、坩堝壁的裸露程度對晶體生長的影響、小
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