DKDP晶體生長及其摻質(zhì)改性研究.pdf

1、DKDP晶體具有優(yōu)良的電光和非線性光學(xué)性能，是高功率固體激光系統(tǒng)中重要的光學(xué)器件材料，廣泛應(yīng)用于激光變頻、電光調(diào)制、參量振蕩器和Q開關(guān)等高技術(shù)領(lǐng)域。隨著這些技術(shù)應(yīng)用范圍的擴(kuò)大和設(shè)備性能的提高，對DKDP晶體的質(zhì)和量提出了新的要求，所以晶體的生長速度和質(zhì)量是目前的研究熱點。 本文采用常溫溶液降溫法生長晶體，經(jīng)過多次實驗，得到了如下晶體生長工藝：pD值為3.8-4.2的1000ml生長溶液，在80℃下過熱24小時，降溫最高起始溫度為

2、45.6℃，降溫速度為0.2-1.0℃/day，平均生長速度約為2.5mm/day。同時對生長中出現(xiàn)的問題如：單斜相的干擾和缺陷等也進(jìn)行了具體的討論。 分析了影響晶體生長溶液穩(wěn)定性的因素，研究過熱溫度和過熱時間對溶液穩(wěn)定性的影響。并在此基礎(chǔ)上往生長溶液中加入不同濃度的K<,2>SO<,4>，進(jìn)行晶體生長，并分析它們對生長溶液的穩(wěn)定性以及晶體性能的影響。得出：溶液中加入少量的K<,2>SO<,4>(≤1×10<'-2>mol％)能

3、提高溶液的穩(wěn)定性，并對晶體的消光比、半波電壓以及透過率沒有大的影響。 用熱分解法測量了幾組晶體的氘含量，得出所生長的晶體都有較高的氘含量(>95％)。 本文通過摻入Rb<'+>和As(v)對DKDP晶體進(jìn)行改性，并用X射線衍射儀和X射線熒光光譜分別對DKDP晶體進(jìn)行了晶體結(jié)構(gòu)分析以及晶體中的Rb<'+>和As(v)元素含量的測定。結(jié)果證明，Rb<'+>和As(v)進(jìn)入了DKDP晶體中，并且晶體中的摻質(zhì)濃度與溶液中加入的摻