大孔硅通道列陣光電化學(xué)腐蝕機理研究.pdf

1、N型硅高長徑比通道陣列可以通過光電化學(xué)腐蝕方法制得，在進行光電化學(xué)腐蝕前，硅片表面需要制備誘導(dǎo)坑結(jié)構(gòu)和歐姆接觸層。本文采用擴散式和注入式兩種工藝對硅片表面進行了處理，進行了大孔硅光電化學(xué)實驗，測量了兩種工藝樣品的Ⅰ-Ⅴ特性曲線，對比分析了不同工藝的影響，對誘導(dǎo)坑及歐姆接觸層制備工藝進行了優(yōu)化，最后將擴散式工藝作為誘導(dǎo)坑及歐姆接觸層的制作方法。使用金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡，觀察了腐蝕后的大孔硅通道列陣形貌，研究了光源、腐蝕電壓、腐蝕液的

2、配比、表面活性劑、攪拌情況、溫度等各工藝參數(shù)對光電化學(xué)腐蝕的影響，優(yōu)化了光電化學(xué)腐蝕工藝。其最佳腐蝕條件是：光源為LED面陣(850nm紅外光)；腐蝕電壓為0.4V；腐蝕液的組成及配比為，HF(150ml)、C2H5OH(200ml)、去離子水(2000ml)、x-100(2.5ml-5.0ml)；腐蝕溫度為23℃；精密定時雙向電動攪拌器等。研究了機械研磨減薄技術(shù)、化學(xué)減薄方法、化學(xué)機械拋光技術(shù)、滾圓、清洗、擴孔、激光加工和鉆床打孔取樣