基于并五苯-P13的有機(jī)場效應(yīng)晶體管研究.pdf

1、信息技術(shù)高速發(fā)展的今天，大規(guī)模集成電路技術(shù)及有源驅(qū)動的有機(jī)顯示技術(shù)已成為信息技術(shù)社會的兩大主要技術(shù)支柱。伴隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，無機(jī)場效應(yīng)晶體管的發(fā)展已經(jīng)無法滿足現(xiàn)代社會的需求，有機(jī)場效應(yīng)晶體管應(yīng)運(yùn)而生，并展現(xiàn)出諸多優(yōu)點(diǎn)，為大面積柔性平板顯示、大規(guī)模集成電路提供了新的解決方案，并成為有機(jī)電子學(xué)器件中重要的前沿課題。
　　本文制備并研究了基于有機(jī)絕緣層材料PMMA、電子傳輸材料P13以及空穴傳輸材料并五苯的單極性和雙極性有機(jī)場效應(yīng)

2、晶體管器件。分析有機(jī)絕緣層、載流子溝道比、不同有源層厚度等對有機(jī)場效應(yīng)晶體管器件性能的影響。具體研究包括以下幾個方面：
　　首先，我們研究了不同參數(shù)下制備不同厚度的有機(jī)絕緣層PMMA薄膜，并以60 mg/ml的乙酸乙酯溶液，在旋涂時間15 s、轉(zhuǎn)速600 r/min條件下制備530 nm厚度的PMMA薄膜。由AFM表征發(fā)現(xiàn)，PMMA薄膜成膜均勻致密。同時制備了不同厚度的PMMA有機(jī)絕緣層的并五苯有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管器件(Ogani

3、c thin film transistors)器件，研究發(fā)現(xiàn)PMMA絕緣層厚度為710 nm厚度時，OTFT器件性能最為優(yōu)越。
　　其次，我們利用AutoCAD軟件繪制并訂制了玻璃基片及掩膜板，并在此基礎(chǔ)上制備了不同溝道比的并五苯OTFT器件/實(shí)驗發(fā)現(xiàn)器件閾值電壓隨著溝道比的增大而減小，而載流子傳輸溝道比對開關(guān)電流比及載流子遷移率影響很小。
　　再次，我們研究了不同厚度P13有機(jī)層對單極N型OTFT器件性能的影響，實(shí)驗發(fā)現(xiàn)