多孔Cu-Cu2O和Cu-Cu2O-SnO2薄膜的制備及其可見光光催化性能的研究.pdf

1、Cu2O是一種窄禁帶半導體材料,禁帶寬度約為2.0 eV,可在太陽光下引發(fā)光催化反應,被認為是在太陽能電池、光化學電池和光催化等方面具有應用潛力的材料。
　　 本文在304型不銹鋼片基底上,制備了多孔Cu／Cu2O薄膜和多孔Cu／Cu2O／SnO2薄膜。以10 mL的3 mg／L羅丹明B(RhB)溶液為模擬污染物,在可見光(>380nm)照射條件下,研究了薄膜的可見光催化活性。運用掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM

2、)、能量失散X射線譜(EDXS)、X射線粉末衍射(XRD)、紫外-可見漫反射光譜(UV-Vis DRS)和熒光發(fā)射光譜(FS)等表征手段,研究了制備條件對兩種薄膜表面形貌、晶體結構、組成以及光催化性能影響規(guī)律,并討論了薄膜的光催化反應機理。主要研究內(nèi)容和結果如下:
　　 1.以氫氣泡為動態(tài)模板,通過陰極電沉積制備了多孔金屬Cu薄膜,再低溫氧化得到多孔Cu／Cu2O薄膜,考察了電沉積-熱氧化條件對薄膜結構、形貌及可見光降解RhB的

3、性能。SEM、XRD和TEM實驗結果表明,在30℃的0.2 mol／L CuSO4+1.5 mol／L H2SO4鍍液中和1.5 A／cm2電流密度下電沉積20 s,再在空氣氣氛下于100℃加熱氧化30 min,制備的多孔Cu／Cu2O薄膜主要由具有“Cu核-Cu2O殼”型結構的亞微米級Cu／Cu2O顆粒構成。在可見光下照射60 min,首次使用的薄膜光催化降解RhB的降解率達到91.4％。重復使用5次后,降解率仍保持在60％以上。顯示

4、出良好的可見光降解有機物的性能和較好的穩(wěn)定性能。
　　 2.在自制的SnO2溶膠中,采用浸漬.沉積的方法在多孔Cu薄膜表面沉積多層SnO2納米薄膜,再氧化得到多孔Cu／Cu2O／SnO2薄膜。研究了SnO2薄膜浸漬次數(shù)、氧化溫度和氧化時間對薄膜光催化性能的影響。結果表明:多孔Cu薄膜經(jīng)過在SnO2溶膠中浸漬5次,每次10 s,再在空氣氣氛下100℃加熱氧化30 min,制備的多孔Cu／Cu2O／SnO2薄膜顯示最好的光催化性能。

5、首次使用時RhB的降解率達到98.4％,重復使用15次后,降解率保持在80％左右。多孔Cu／Cu2O／SnO2薄膜比多孔Cu／Cu2O薄膜顯示出了更高的光催化活性和穩(wěn)定性。
　　 3.UV-Vis DRS的分析結果表明,兩種薄膜的吸收帶邊在600 nm處,且多孔Cu／Cu2O／SnO2薄膜的吸收強度顯著大于多孔Cu／Cu2O薄膜。FS的分析結果顯示,兩種薄膜都具有較強的熒光發(fā)射光譜,多孔Cu／Cu2O／SnO2熒光強度更強,薄膜