奧氏體不銹鋼晶界特征分布研究.pdf

1、本文首先采用金相顯微技術(shù)（OM）和離線式微觀組織原位觀察方法研究了304奧氏體不銹鋼碳化物的析出和溶解規(guī)律。在此基礎(chǔ)上，采用掃描電子顯微術(shù)（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)研究了兩種晶界工程(GBE1和GBE2）工藝條件下碳化物對奧氏體不銹鋼晶界特征分布（GBCD）的影響，并進(jìn)一步采用離線式原位EBSD組織追蹤方法，研究并闡明了合金GBCD演化的微觀機(jī)制。主要結(jié)果如下：
　　1)固溶處理后的304奧氏體不銹鋼試樣在650℃

2、～900℃之間時(shí)效時(shí),碳化物不斷析出，直至完全消耗過程完畢。在時(shí)效過程中，碳化物首先在高能晶界處呈網(wǎng)狀析出，然后轉(zhuǎn)向次高能晶界和晶粒內(nèi)部析出。時(shí)效處理后再經(jīng)940℃加熱時(shí)，碳化物穩(wěn)定性下降，絕大部分碳化物溶解回基體中；經(jīng)980℃以上溫度加熱時(shí)，碳化物完全溶解回基體中。此時(shí)，由于碳化物的溶解，晶界的遷移和顯微組織變化都十分明顯。
　　2) GBE1和GBE2兩種晶界工程工藝條件下碳化物對304奧氏體不銹鋼GBCD的影響明顯不同。GB

3、E1工藝條件下，碳化物的存在促進(jìn)了以生成一般大角度晶界為特征的傳統(tǒng)再結(jié)晶，GBCD優(yōu)化效果不理想。GBE2工藝條件下，少量碳化物的存在可釘扎某些晶界,這使得其它晶界得以充分遷移,從而促進(jìn)了合金GBCD的優(yōu)化，即提高合金特殊晶界比例的同時(shí)顯著增加了Σ3n晶粒團(tuán)簇(Σ3n GC)的尺寸并且一般大角度晶界網(wǎng)絡(luò)的連通性被特殊晶界有效阻斷。
　　3）那些沒有被碳化物釘扎的能夠在GBE2工藝過程中得以充分遷移的晶界具有某種特定取向差屬性。這類