基于憶阻的讀寫電路設(shè)計及其應(yīng)用研究.pdf

1、隨著芯片集成技術(shù)的日趨成熟，摩爾定律受到了挑戰(zhàn)。目前存儲技術(shù)受到了材料，工藝等方面的限制，已經(jīng)發(fā)展到了瓶頸。而憶阻由于其阻變特性，非易失性以及其納米級的尺寸，滿足了對存儲器大容量、高速度和低功耗的要求，可以用于解決目前在存儲技術(shù)上遇到的難題。
　　本文介紹了目前主流的存儲技術(shù)以及由于憶阻的問世所帶來的新興存儲技術(shù)，對憶阻在存儲上應(yīng)用的優(yōu)勢進行分析，并對多項存儲技術(shù)之間的性能參數(shù)進行了比較。同時對目前的主流憶阻模型—惠普憶阻模型，以

2、及相關(guān)模型改進做了詳細的介紹。
　　基于惠普憶阻模型，結(jié)合數(shù)據(jù)存取的需求，本文對憶阻讀寫進行了數(shù)學(xué)分析，對最近今年憶阻讀寫方案設(shè)計進行分析仿真。從理論上證明了讀取操作會對憶阻所存儲的數(shù)據(jù)帶來的損壞，仿真結(jié)果也表明該問題確實存在。本文設(shè)計了存儲憶阻的狀態(tài)更新方案用以解決該問題。
　　本文還對設(shè)計方案的應(yīng)用進行了研究，提出了所設(shè)計方案在多值存儲以及陣列存儲中的應(yīng)用。將憶阻由二值存儲擴展到四值存儲，進行了狀態(tài)設(shè)計以及讀寫方案設(shè)計；