超晶格GaAs-Al-,x-Ga-,1-x-As的電子態(tài)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、從江崎等提出并制出GaAs/AlxGa1-xAs系超晶格以來,隨著超薄膜制備技術(shù)的發(fā)展,對超晶格電子態(tài)的研究獲得了很大的成績,特別是GaAs/AlxGa1-xAs系超晶格材料,由于組成超晶格兩種材料晶格常數(shù)相差不大,材料性質(zhì)比較相近,生長快,易操作等原因,這種超晶格結(jié)構(gòu)更是獲得了大量的研究。
　　 到目前為止,計(jì)算超晶格電子態(tài)的方法有很多。在這篇論文里,我們將給出一種比較簡單且運(yùn)算快的方法——轉(zhuǎn)移矩陣的方法來研究超晶格GaAs/

2、AlxGa1-xAs的電子態(tài)。通過改變超晶格勢阱寬,勢壘高,加入雜質(zhì)來研究組成不同的超晶格的電子態(tài),分析出了超晶格在體材料中觀察不到的新的物理現(xiàn)象,比如超晶格的微帶效應(yīng),量子受限效應(yīng),共振遂穿效應(yīng)等性質(zhì)。我們的結(jié)果同時(shí)證明轉(zhuǎn)移矩陣方法是準(zhǔn)確易操作的,且發(fā)現(xiàn)轉(zhuǎn)移矩陣方法對于研究電子通過任意排列的一維有限超晶格輸運(yùn)具有普適性。
　　 本論文主要包括以下幾部分:
　　 (1)簡單介紹超晶格GaAs/AlxGa1-xAs模型。<

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