2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、蘇州大學(xué)碩士學(xué)位論文O等離子體處理控制多孔SiOCH薄膜中的Cu擴(kuò)散姓名：袁靜申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：葉超2009050102等離子體處理控制多孔SiOCH薄膜中的Cu擴(kuò)散英文摘要ControllingCudiffusioninSiCOHlowkfilmsby02plasmatreatmentAbstractThedevicedimensioncontinuousshrinkinginultralargescal

2、eintegratedchipsleadstothesignalpropagationdelay，dissipmionandcrosslinkbetweenmetalinterconnectsInordertoaddresstheproblems，theAI／Si02structuremustbereplacedwithlowdielectricconstantmaterialsandlowresistivitymetalinterco

3、nnectsAsthesubstitutionofSi02，theporouslowdielectricconstantmaterialshavereceivedmorecloseattentionrecentlyMeanwhile，copperhasbeenadoptedasthesubstitutionofAlinterconnectsinULSIduetoitslowerresistivityHowevertheintegrati

4、onofCu／SiCOHporouslowkdielectricsremainschallengingOwingtotheexistenceofopenporesatthesurfaceofSiCOHlow—kfilms，thediffusionofCuinporousSiCOHlowkfilmsunderthebiasorthethermaltreatmentCanleadtothedeteriorationofelectricalp

5、ropertyTeducetheCudiffusion，thethinbarrierisusuallydepositedatthesurfaceofporousSiCOHfilmsSo，thenewtransitionlayermustbeintroducedtoCu／SiCOHsystemandthenewprocessmustbeusedIfwecanmakemoreopenporesatthesurfacesealedbyplas

6、masurfacetreatment，theCudiffusioninSiCOHfilmsmayalsobereducedThisworkinvestigatestheCudiffusioninSiCOHlowdielectricconstantfilmstreatedby02plasmaBycapacitancevoltageandcurrent—voltagemeasurement，andthermalstressanalysis，

7、itisfoundthatthe02plasmasurfacetreatmentofSiCOHfilmsCanleadtothedecreaseof。leakagecurrent，thedecreaseofflatbandvoltageshift△‰，andtheincreaseofactivationenergy既ThesmallA咋BandlowerleakagecurrentindicatetheweakCudiffusionTh

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