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文檔簡介
1、真空單源共蒸發(fā)法制備Zn摻雜SnS2薄膜,氮氣保護對薄膜進行不同條件熱處理.用X射線衍射儀、原子力顯微鏡、手動輪廓儀、光電子能譜儀、紫外-可見分光光度計、臺式繁用表和冷熱探針等對薄膜的物相結(jié)構、表面形貌、光電性能進行測試分析.
實驗結(jié)果給出:Sn、S配比為1:1.5(at％)的混合粉末沉積的薄膜,經(jīng)380℃熱處理15min后得到結(jié)晶良好的SnS2多晶薄膜,結(jié)構是簡單正交晶系空間群P-3ml(164).按相同Sn、S配比分別
2、摻入5wt％和9wt％的純Zn粉,分別經(jīng)350℃、30min和370℃、20min熱處理后,SnS2薄膜的空間群均未發(fā)生變化但表面致密,粗糙度增加.摻Zn前后Sn和S在薄膜中均呈+4、-2價態(tài),Zn在薄膜中以+2價存在.未摻Zn的SnS2薄膜表面原子百分比為Sn:S=1:1.08,S損失較多；5wt％和9wt％摻Zn后薄膜表面原子百分比分別為Sn:S=1:1.44和1:1.55,與未摻Zn時相比明顯得到改善,接近SnS2的標準化學計量比
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