新型分子印跡電化學(xué)傳感器的制備及其對(duì)農(nóng)藥殘留檢測(cè)性能的研究.pdf

1、現(xiàn)如今，農(nóng)藥被人們廣泛使用，農(nóng)藥在改善農(nóng)業(yè)的同時(shí)也引發(fā)了嚴(yán)重的農(nóng)藥殘留問(wèn)題，該現(xiàn)狀時(shí)刻威脅著環(huán)境安全和人體健康。人們?cè)噲D緩解現(xiàn)狀，其中了解殘留狀況為前提，檢測(cè)分析農(nóng)藥殘留是關(guān)鍵。因此，開(kāi)發(fā)高效簡(jiǎn)便的農(nóng)藥殘留檢測(cè)方法迫在眉睫，本文針對(duì)該情況，制備出對(duì)相應(yīng)農(nóng)藥具有特異選擇識(shí)別能力的分子印跡電化學(xué)傳感器，進(jìn)而檢測(cè)分析殘留情況。本論文主要研究?jī)?nèi)容分為以下兩個(gè)部分:
　　1.以殼聚糖為功能基體，吡蟲(chóng)啉(Imidacloprid，簡(jiǎn)稱IMI)

2、/噻蟲(chóng)嗪(Thiamethoxam，簡(jiǎn)稱TMX)為模板分子，戊二醛為交聯(lián)劑，應(yīng)用恒電位沉積法制備分子印跡電極（經(jīng)羧基化碳納米管修飾）后構(gòu)建IMI印跡傳感器(IMI-MIP/F-CNTs/GCE)及TMX印跡傳感器(TMX-MIP/F-CNTs/GCE)。并利用循環(huán)伏安法(CV)、差分脈沖伏安法(DPV)、交流阻抗譜(EIS)等電化學(xué)方法考察新型傳感器對(duì)IMI/TMX的檢測(cè)性能并構(gòu)建等效電路模型。結(jié)果表明:成功地制備了新型分子印跡電化學(xué)傳

3、感器IMI-MIP/F-CNTs/GCE和TMX-MIP/F-CNTs/GCE;兩個(gè)電極的表觀表面積與裸電極相比顯著提高，且都具有良好的印跡效果，成功制備的傳感器對(duì)模板分子IMI/TMX的選擇識(shí)別性能良好。同時(shí)建立了電路模型R1(CPE1(R2(CPE2(R3))))，該模型與交流阻抗譜等效，通過(guò)對(duì)電路模型各元件參數(shù)的計(jì)算，證明了傳感器檢測(cè)IMI/TMX的傳感機(jī)理可以被此等效電路有效模擬。
　　2.用農(nóng)藥（吡蟲(chóng)啉、噻蟲(chóng)嗪）對(duì)IMI

4、-MIP/F-CNTs/GCE和TMX-MIP/F-CNTs/GCE進(jìn)行抑制，然后用差分脈沖伏安掃描未抑制和已抑制的傳感器，記錄峰電流數(shù)據(jù)，計(jì)算抑制率，分析數(shù)據(jù)，同時(shí)做平行實(shí)驗(yàn)，以此來(lái)檢測(cè)傳感器對(duì)農(nóng)藥（吡蟲(chóng)啉、噻蟲(chóng)嗪）的響應(yīng)性能及傳感器的穩(wěn)定性能。結(jié)果表明:IMI-MIP/F-CNTs/GCE及TMX-MIP/F-CNTs/GCE分別對(duì)目標(biāo)分子IMI和TMX具有特異選擇識(shí)別性能，且選擇性能良好，同時(shí)電位沉積法制備的傳感器穩(wěn)定性良好，壽命