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文檔簡介
1、基于一維緊束縛SSH模型,采用非絕熱動(dòng)力學(xué)方法,我們研究了: 1.摻雜聚合物的靜態(tài)性質(zhì)以及雜質(zhì)離子對(duì)極化子動(dòng)力學(xué)過程的影響。(1)在聚合物中均勻加入雜質(zhì)離子的數(shù)目不同,則聚合物材料帶隙的寬度不同;隨著雜質(zhì)勢強(qiáng)度的增加,帶隙變得越來越窄;(2)在聚合物中加入相同的雜質(zhì)勢(Vp>0),發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)離子對(duì)電子極化子和空穴極化子的運(yùn)動(dòng)速度影響不同。在電場下極化子被加速,達(dá)到飽和速度后與雜質(zhì)離子發(fā)生碰撞,電子極化子與雜質(zhì)離子(VP>O)碰撞時(shí)
2、受到庫侖排斥作用,類似于勢壘;而空穴極化子與雜質(zhì)離子(VP>O)碰撞時(shí)受到庫侖吸引作用,類似于勢阱,由于雜質(zhì)離子對(duì)正負(fù)極化子的作用不同,造成了它們平均速度的差異。(3)正負(fù)極化子的平均速度與雜質(zhì)離子之間的距離有關(guān)。當(dāng)雜質(zhì)離子之間距離較近時(shí),如,兩雜質(zhì)離子相距六倍晶格常數(shù)距離時(shí),電子極化子的平均速度遠(yuǎn)快于空穴極化子。此外,正負(fù)極化子的平均速度還隨著雜質(zhì)勢強(qiáng)度的增加而減少。 2.含有側(cè)基聚合物的靜態(tài)性質(zhì)以及側(cè)基對(duì)極化子動(dòng)力學(xué)過程的影
3、響。(1)在聚合物鏈中引入具有排斥電子作用的側(cè)基,側(cè)基上的電子易躍遷至主鏈,相當(dāng)于N型半導(dǎo)體材料。相反,如果用吸引電子基團(tuán)作為聚合物的側(cè)基,主鏈電子易躍遷至側(cè)基,相當(dāng)于P型半導(dǎo)體材料。側(cè)基的加入使得聚合物帶隙中形成局域能級(jí),深能級(jí)隨著主鏈與側(cè)基之間躍遷積分的增加向帶隙中間靠近,而隨著其側(cè)基基團(tuán)在位能的增加分別向?qū)Ш蛢r(jià)帶靠近;(2)由于電子極化子和空穴極化子與側(cè)基碰撞時(shí)受到的相互作用不同,導(dǎo)致了電子和空穴極化子運(yùn)動(dòng)速度不同。如,兩側(cè)基之
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