脈沖激光沉積工藝對CIGS薄膜成分和微結構的影響.pdf

1、本研究采用PLD濺射法在玻璃襯底上制備不同疊層順序、不同比例的In／Cu-Ga和Cu-Ga／In預制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜.采用X射線衍射儀(XRD)表征了薄膜的晶體結構,采用掃描電子顯微鏡(SEM)和能量散射譜(EDS)觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子能譜(XPS)分析了薄膜表面的化學價態(tài),采用紫外-可見分光光度計分析了薄膜的光吸收特性。實驗發(fā)現(xiàn),采用 Cu-Ga／In的預制膜疊層順序制備出的CIGS

2、薄膜,其In元素損失嚴重.采用In／Cu-Ga的預制膜疊層順序制各的CIGS薄膜,隨著預制膜中In含量的增加,其CIGS薄膜表面的孔隙密度會增加,且由于采用單質In靶,導致CIGS薄膜表面有大顆粒產(chǎn)生。采用In／Cu-Ga的疊層順序,且濺射脈沖數(shù)為Cu-Ga靶5萬；In靶6萬的濺射工藝下制備的Cu-In-Ga預制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,可得到沿(112)晶向擇優(yōu)取向生長,且致密、均勻、結晶良好的CIGS薄膜,其組分配比也處于理想范圍之內