版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、BiVO4是一種窄帶隙的半導體材料,具有可見光響應性,但其光生電子-空穴對容易在其表面復合,量子效率低,導致光催化去除污染物效果不佳。近幾年發(fā)現(xiàn)的一維碳納米管(CNT)和二維石墨烯(GR)兩種碳材料具有多項出眾的性能,其高導電性、高載流子遷移率和極大的比表面積,特別適合作為光催化劑的載體。在綜合分析現(xiàn)有的光催化劑及其改性技術基礎上,提出分別用碳納米管、石墨烯兩種碳材料改性修飾BiVO4,通過摻雜碳材料、對形貌和復合方式進行調控,從而降低
2、電子-空穴復合率,提高光催化劑的量子效率,達到提高污染物的去除效果的目的。
本研究主要內容包括:①用水熱法制備rGO/BiVO4復合材料,通過調控模板劑發(fā)現(xiàn),采用油酸鈉做模板劑時,BiVO4形貌雜亂且rGO易團聚;當采用SDBS或SDS時,BiVO4顆粒形貌較為規(guī)則且表面光滑,rGO分散性較好并穿插在 BiVO4中,兩者結合比較緊密;當不添加任何模板劑時,BiVO4顆粒呈表面紋理粗糙的樹葉狀,尺寸約為4um, rGO均勻分散,
3、BiVO4鋪嵌在rGO片層上且兩者結合非常緊密。②表征結果顯示,采用該方法制備的rGO/BiVO4復合材料中,生成的BiVO4為單斜晶型,GO被很好地還原為rGO;;在粗糙樹葉狀形貌和高比表面積rGO的雙重作用下,樣品BiVO4-rGO擁有更大的比表面積,有望展現(xiàn)出較好的吸附性能;摻雜rGO后,BiVO4-rGO的光吸收效果提升,同時可見光響應范圍擴大;得益于rGO的優(yōu)良導電性,BiVO4-rGO在光照下的產生的電流強度和在固液相體系中
4、捕獲的活性自由基 O2 和 OH信號強度均高于純 BiVO4,說明該體系電子傳遞效率得到了提升,具有更好的光催化反應活性。③用水熱法制備CNT/BiVO4復合材料,通過調控模板劑、反應時間發(fā)現(xiàn),CNT在含有 EG的體系中呈現(xiàn)出很好的分散性;當只加入模板劑EG時,小的 BiVO4晶體聚集生長為一個個爆米花形貌的大BiVO4顆粒,CNT穿插掛嵌在其中結合緊密;當加入EG和L-半胱氨酸兩種模板劑時,BiVO4晶體以另一種趨勢聚集并生長為表面粗
5、糙的、類似血紅細胞狀的大顆粒,CNT同樣緊緊包裹掛嵌在其表面,結合緊密;隨著反應時間的增加,BiVO4顆粒的繼續(xù)生長,尺寸也進而變大。④表征結果顯示,制備的CNT/BiVO4復合材料中,生成的BiVO4為單斜晶型;摻雜CNT后,形貌不同的BiVO4-CNT-EG和BiVO4-CNT-EG-L的比表面積數(shù)值都顯著增大,兩者在200~470nm的光吸收能力出現(xiàn)都一定程度削弱,但在470nm以后的光區(qū)吸收增幅很大,對比之下 BiVO4-CNT
6、-EG-L的吸附性能和光吸收響應性能表現(xiàn)更佳;得益于CNT的優(yōu)良導電性, BiVO4-CNT-EG-L在光照下的產生的電流強度以及活性自由基 O2和OH信號強度也高于純 BiVO4,表明該體系電子傳遞效率得到了提升,具有更好的光催化反應活性。⑤對于RhB的降解,BiVO4-CNT-EG-L具有吸附優(yōu)勢,而BiVO4-rGO的光降解性能更好;對于苯酚的降解,BiVO4-rGO、BiVO4-CNT-EG、BiVO4-CNT-EG-L的光催化
7、降解效果均較好,互相差別不大,但后兩者形貌結構更具優(yōu)勢因此吸附性能更突出。同樣反應時間下苯酚的降解率低于RhB,其原因是RhB降解的第一步是羧基、氨基基團和苯環(huán)的脫離分解,而苯酚的第一步是苯環(huán)的斷裂,苯環(huán)具有極強的穩(wěn)定性,因此苯酚降解的第一步更難啟動。⑥復合光催化劑的吸附效果隨著碳材料rGO或CNT摻雜量的升高而提高,但摻雜量過高時,過量的rGO或CNT一方面會阻擋到達BiVO4表面的光輻射量,另一方面GO或CNT過多反而容易給電子空穴
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 1733.強吸附二維共軛材料bivo4半導體光催化劑制備及光催化性能研究
- BiVO4納米材料的制備及光催化性能研究.pdf
- 納米孔無機材料模板法制備一維和二維碳納米材料的研究.pdf
- BiVO4基復合材料的制備及其光催化性能研究.pdf
- 準一維和二維手性材料的力學建模與分析.pdf
- Ag摻雜BiVO4復合材料的制備、表征及其光催化性能.pdf
- BiVO4光催化劑的制備及其性能研究.pdf
- 溶劑熱法合成BiVO4晶體及光催化性能的研究.pdf
- 二維碳修飾復合催化劑的制備及其可見光催化性能研究.pdf
- 二維和三維結構TiO2光催化劑的制備、表征及光催化活性.pdf
- 一維和二維光子晶體的特性研究.pdf
- Ti-Mo共摻BiVO4的光催化性能研究.pdf
- BiVO4光催化性的第一性原理研究.pdf
- BiVO4光催化降解水體中布洛芬的研究.pdf
- BiVO4光催化劑的制備及改性研究.pdf
- 新型納米BiVO4的制備、表征及其光催化性能研究.pdf
- BiVO4可見光催化劑的仿生合成及光催化性能研究.pdf
- 烷基修飾低維碳材料的制備及性能研究.pdf
- 一維和二維納米材料熱力學性質的第一性原理研究.pdf
- 6021.一維和二維拓撲系統(tǒng)的無序研究
評論
0/150
提交評論