二硫化錫層狀材料的取向控制及其光電器件的研究.pdf

1、由于平面半導(dǎo)體制造工藝的要求，對層狀過渡硫族材料取向控制的研究勢在必行。本論文中，我們有效地實(shí)現(xiàn)了對二硫化錫生長取向的控制，并進(jìn)一步探究了光電場效應(yīng)晶體管的相關(guān)應(yīng)用。具體內(nèi)容如下：
　　（1）水平和豎直兩種取向的二硫化錫可以通過不同的基底來調(diào)控其生長。二維基底（例如云母、石墨烯等）可以通過范德華外延成功的生長出水平取向的二硫化錫。而由于懸掛件的阻擋效應(yīng)，三維基底能夠生長出豎直取向的二硫化錫。與此同時(shí)我們進(jìn)行的二次生長的實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步證

2、實(shí)了我們對于取向生長機(jī)理的解釋。
　?。?）隨后我們將水平取向的二硫化錫制備成背柵極場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管的電子遷移率以及電流開關(guān)比分別能夠達(dá)到4 cm2V-1s-1和105。但其相應(yīng)的光電場效應(yīng)晶體管僅有1.3的光電開關(guān)比，暗電流處于較大的微安量級，而響應(yīng)時(shí)間更是達(dá)到了秒級。這種緩慢的響應(yīng)主要是硫空位缺陷而引起的長壽命載流子的復(fù)合而造成的。
　?。?）在此基礎(chǔ)上我們將生長的二硫化錫在飽和硫氣氛中進(jìn)行退火處理，以達(dá)到抑