基于溶液法制備的電子注入層的研究.pdf

1、傳統有機發(fā)光二極管（OLED）采用的是真空熱蒸鍍法制作得到的。這種方法雖然能夠制作出高效率多層結構的OLED器件，但是其制備設備價格昂貴，材料利用率低，同時真空高溫的制備環(huán)境也增加了OLED制作的復雜程度，而這一系列問題都可以用溶液法的制備方式來解決。OLED是多層結構器件，由陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極組成。將載流子限制在發(fā)光層中，同時平衡發(fā)光層電子空穴比例，是制作高效率OLED器件的關鍵所在，電

2、子、空穴注入與傳輸層在這方面起到決定性的作用。因此，在溶液法制備高效率OLED器件的研究中，對電子、空穴注入與傳輸層的研究有著格外重要的意義。報道中常用的氧化鋅（ZnO）電子注入層其前驅體溶液制備方法十分復雜，我們課題組提出了一種以簡單的制備方法制作出了一種新型ZnO前驅體溶液，本文旨在研究這種新型ZnO前驅體溶液制作的ZnO電子注入層在溶液法制備的正、反型結構OLED中的應用。
　　新型ZnO電子注入層在溶液法制備的正型結構OL

3、ED中的應用
　　本文首先介紹了一種以簡單制備方法制作出的新型的ZnO前驅體溶液。在把新型 ZnO前驅體溶液制作的ZnO薄膜作為電子注入層（EIL）應用到磷光OLED中時，我們發(fā)現溶液法制備的ZnO EIL擁有比蒸鍍法制備的碳酸銫（Cs2CO3）EIL更好的電子注入性能，同時搭載ZnO電子注入層的磷光器件取得了58.3 cd/A的高電流效率。在將ZnO電子注入層應用到溶液法制備的正型結構OLED中時，器件在大電流密度下發(fā)光亮度仍然

4、很低。通過分析我們發(fā)現ZnO電子注入層雖然有著很強的電子注入能力，但是其空穴阻擋能力很弱，因此我們提出將ZnO與乙氧基化的聚乙烯亞胺（PEIE）混合作為空穴阻擋層。優(yōu)化后的搭載ZnO:PEIE(3:1)電子注入層的器件，其亮度及效率較搭載單純 ZnO電子注入層的器件提高了近10倍，同時取得了超過10000 cd/m2的最大亮度和0.93 cd/A的最大電流效率。
　　新型ZnO電子注入層在溶液法制備的反型結構OLED中的應用

5、>　　當我們將ZnO應用到反型結構OLED中時，由于ZnO電子注入層不能有效地阻擋空穴，所以器件性能很糟糕，因此我們轉向研究ZnO和PEIE混合電子注入層在反型結構中的應用。在分析搭載不同比例混合EIL的器件特性時，我們發(fā)現當混合EIL中ZnO占主要成分時，器件的啟動電壓很低，而當PEIE占主要成分時，器件啟動電壓高，同時亮度增長很快，取得了高達11070 cd/m2的最大亮度。之后，我們對不同比例的混合EIL的薄膜進行了原子力顯微鏡（