鍵和晶場(chǎng)稀疏Blume-Emery-Griffiths模型的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì).pdf

1、本文在有效場(chǎng)理論的框架內(nèi)，基于簡(jiǎn)立方晶格討論了自旋為1的鍵和晶場(chǎng)稀疏B1ume-Emery-Griffiths(BEG)模型的臨界行為和磁學(xué)性質(zhì)。鍵稀疏，晶場(chǎng)稀疏和晶場(chǎng)，偶極與偶極相互作用和交換相互作用的比率之間的相互影響使BEG模型展示出一些新穎的現(xiàn)象。負(fù)晶場(chǎng)下，正比率α在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，T-D平面內(nèi)相變曲線中出現(xiàn)雙三臨界點(diǎn)。雙三臨界點(diǎn)之間的一級(jí)相變?cè)谝欢ň?chǎng)稀疏濃度下隨α的增大而被擴(kuò)大，而在一定鍵稀疏濃度下隨α的增大呈收縮趨勢(shì)。T

2、-p平面內(nèi)在負(fù)晶場(chǎng)和α>0時(shí)，系統(tǒng)存在兩個(gè)不同的鍵濃度閾值。在外場(chǎng)下，鍵和晶場(chǎng)稀疏的共同作用使起始磁化曲線呈現(xiàn)出一種不規(guī)則的行為。磁化率曲線的峰值明顯降低。平面M-T內(nèi)，在較大負(fù)晶場(chǎng)和比率α為正時(shí)，磁化曲線表現(xiàn)出不連續(xù)性，并在一個(gè)受限制的磁場(chǎng)小區(qū)域內(nèi)呈現(xiàn)出垂直跳躍。在χ-1-T平面內(nèi)，磁化率曲線表現(xiàn)出與實(shí)驗(yàn)結(jié)果定性相似的結(jié)果。當(dāng)α<-1l時(shí)，相圖中同時(shí)給出了鐵磁一順磁的相界，交錯(cuò)磁一順磁的相界和它們的交點(diǎn)雙臨界點(diǎn)。討論了兩種稀疏因子，各