水楊酸根插層層狀氫氧化鈷納米材料的可控制備及其性能研究.pdf

1、有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合納米材料兼具有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的特點(diǎn),可應(yīng)用為傳感器材料、熱敏材料、光電元件材料等等,近年來(lái)受到人們的廣泛關(guān)注。有機(jī)插層的層狀氫氧化鈷是一類重要的有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合材料,在分子磁體、氣體存儲(chǔ)、催化劑等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。目前,對(duì)于有機(jī)無(wú)機(jī)復(fù)合納米材料的可控合成,特別是在純度、尺寸和形貌的控制仍是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
　　 本論文采用沉淀法,在水相中合成了水楊酸根插層層狀氫氧化鈷(Sal-LCH),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件,制備得到

2、不同尺寸的Sal-LCH納米片和納米棒,并對(duì)其性能進(jìn)行了初步研究。具體研究?jī)?nèi)容如下:
　　 1.采用一步沉淀法,制備了Sal-LCH納米片。通過(guò)對(duì)反應(yīng)條件的調(diào)控,實(shí)現(xiàn)了Sal-LCH納米片的可控制備,其粒子尺寸及形貌變化規(guī)律如下:晶化時(shí)間小于3 h時(shí),Sal-LCH呈現(xiàn)為納米粒子狀,其尺寸可控制在10-20 nm;晶化時(shí)間大于3 h時(shí),Sal-LCH呈現(xiàn)為納米片狀,納米片的大小可控制在50-100 nm,厚度在10-15 nm。

3、通過(guò)XRD、FTIR、SEM、TG-DTA、UV-Vis等表征手段,研究了該材料的結(jié)構(gòu)、形貌及熱穩(wěn)定性。
　　 2.在無(wú)模板劑,修飾劑的條件下一步合成了具有熱致結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變性能的Sal-LCH納米棒。系統(tǒng)討論了合成溫度,濃度及晶化時(shí)間對(duì)納米棒晶型和形貌的影響,實(shí)現(xiàn)了納米棒的可控制備,納米棒長(zhǎng)度可控制在300 nm-10μm,直徑在50-125 nm。通過(guò)各種表征手段,研究了Sal-LCH納米棒的熱致結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變性、熱穩(wěn)定性及其可恢復(fù)性。