CdTe熒光量子點的合成、修飾及應用.pdf

1、量子點(QDs)是由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素組成的半徑小于或接近激子波爾半徑的半導體納米晶。CdTe熒光量子點具有獨特的光學特性而備受研究者的關注。目前合成高性能的CdTe熒光量子點的方法比較苛刻,比如需要在高溫200℃及高毒性TOP為穩(wěn)定劑的條件下完成。本課題采用液液法合成油相中分散的CdTe量子點,此方法反應條件溫和,易于控制,反應所用穩(wěn)定劑毒性低,與傳統(tǒng)方法相比具有很大的優(yōu)勢。本文著重研究了反應物的濃度,添加劑的量,有機溶劑等手段對

2、CdTe量子點制備的影響。同時采用不同的方法對油相的CdTe熒光量子點進行功能化修飾,并初步嘗試了利用CdTe量子點作為探針對卡托普利藥物含量進行測定。本文主要的研究成果簡述如下:(1)采用液液法成功制備了油相的CdTe熒光量子點,CdTe熒光量子點的粒徑在2.1 nm,其熒光量子效率最高達70.2％(以Rdm 560水溶液為基準計算)。通過多種手段考察了合成條件對量子點的影響,[Cd2+]/[Te2-]的濃度比在2:1、H2O/CH3

3、OH的體積比值在2:1、有機試劑為甲苯、反應溫度為60℃、油酸的量為1mL的條件下制備的CdTe量子點的發(fā)光性能最佳。(2)本文采用配位交換法及環(huán)糊精包合法對CdTe熒光量子點進行功能化修飾。配位交換法是以PAA為修飾劑對油相的CdTe熒光量子點進行修飾,考察PAA的加入量了對量子點發(fā)光性能的影響,得到的水相CdTe量子點平均粒徑在5 nm。同時對PAA修飾前后CdTe量子點的熒光強度作了比較,結果表明經PAA修飾的熒光量子點的熒光強度

4、比油相的CdTe量子點的熒光強度強。環(huán)糊精包合法是以β-環(huán)糊精為修飾劑對油相CdTe熒光量子點進行修飾,得到的CdTe水相量子點包合物粒徑在100 nm左右,CdTe包合物的發(fā)光性能比油相的CdTe量子點的發(fā)光性能差。(3)采用修飾后的CdTe熒光量子點作為探針,根據量子點熒光淬滅原理,對卡托普利藥物含量進行測定。主要繪制了卡托普利藥物含量與量子點熒光強度的標準曲線,此方法顯示卡托普利的濃度為0.19~3.2 mg.mL-之間呈線性關系