類分子印跡-納米多孔膜的電化學制備及三聚氰胺的電分析.pdf

1、在0.1 mol·L-1 PBS(pH7.0)和0.5 mol·L-1 H2SO4溶液中,分別研究了三聚氰胺(MEL)在充蠟石墨電極上的電化學行為。采用場發(fā)射掃描電鏡、光譜電化學及電化學技術,對兩種體系中的三聚氰胺修飾充蠟石墨電極進行了表征。0.1mol·L-1 PBS(pH7.0)溶液中,MEL分子經(jīng)氧化失去兩個電子,生成的二價陽離子和另一個中性的MEL分子頭碰頭結合生成二聚物,并有偶氮化合物的生成;該二聚物作為單體可電化學聚合修飾在

2、充蠟石墨電極表面。0.5 mol·L-1H2SO4溶液中,MEL易水解生成三聚氰酸二酰胺、三聚氰酸一酰胺和三聚氰酸,電化學氧化可促進三聚氰胺的水解;另外,MEL和三聚氰酸通過氫鍵結合可生成一種“分子餅”狀化合物。0.5 mol·L-1 H2SO4溶液中,1.4 V恒電位下,MEL在205和234 nm處的紫外吸收峰隨其濃度的增高而增強,在1.0×10-7～1.0×10-5mol·L-1范圍內呈現(xiàn)良好的線性關系,檢出限分別為1×10-5和

3、3×10-8～mol·L-1(3σ)。該方法可用于奶粉樣品中MEL的測定。
　　 采用電化學法在充蠟石墨電極上,原位修飾了一種基于三聚氰胺/殼聚糖/Nafion/納米銀/聚槲皮素的類分子印跡-納米多孔膜(CNSQ/WGE)。場發(fā)射掃描電鏡、X-射線光電子能譜、紅外光譜和電化學驗證了該類分子印跡-納米多孔膜為三維網(wǎng)狀結構。該納米多孔膜修飾電極對三聚氰胺顯示良好的選擇性富集作用,可用于MEL的直接電化學測定,氧化峰(0.17 V)電

4、流和MEL的濃度在1×10-7～1×10-5 mol·L-1范圍內,呈現(xiàn)良好的線性關系,檢出限為1×10-8 mol·L-1(3σ)。該修飾電極也可用于三聚氰胺的間接電化學測定,以K3[Fe(CN)6]為探針,[Fe(CN)6]3-的氧化峰電流和MEL的濃度分別在1.0×10-15～1.0×10-14 mol·L-1和1×10-8～9×10-7mol·L-1范圍內,呈現(xiàn)良好的線性關系,檢出限分別為6.7×10-16mol·L-1和1×1