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文檔簡介
1、在本文中,通過電化學沉積,我們大面積生長了束狀、絮狀、尖頂狀鉍的微結構和鉍納米線。通過X射線衍射、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡等手段對這些納米材料的形貌和晶格結構進行了表征,并討論了其生長機理。同時,對尖頂狀鉍納米結構的場發(fā)射性質也進行了分析和討論。使用電位溶出法對束狀納米結構電極進行了研究。主要內容及創(chuàng)新點如下:
1.通過氧化鋁模板孔洞內電化學填充法,我們得到了單晶性良好的Bi納米線,該納米線按[ll0]方向生長。通過
2、SEM和TEM圖可知,模板填充制備的Bi納米線獲得大面積生長,具有高的填充率,規(guī)則性。并討論了Bi納米線的生長機理。
2.大面積束狀Bi納米結構通過兩步法電化學沉積首次制備而得,因為其極大的比表面積,通過將其制作成電極,進行了微量重金屬檢測的測試。結果表明這種Bi納米結構作為傳感器具有良好的靈敏度和穩(wěn)定性,在做為高效電化學傳感器方面具有廣闊的應用前景。
3.首次在ITO導電玻璃上,電化學沉積制備了絮狀Bi納米
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