低速高電荷態(tài)離子在非晶態(tài)靶上散射的計算機模擬.pdf

1、隨著各種測量方法的應用和探測技術(shù)的提高，近年來各種離子源，如ECRIS(ElectronCyclotronResonanceIonSource，電子回旋共振離子源)、EBIS(ElectronBeamIonSource，電子束離子源)、EBIT(ElectronBeamIonTrap，電子束離子阱)源等原則上能提供任意高電荷態(tài)的離子，這允許我們開展高電荷態(tài)離子的研究工作，而在以前只有在宇宙中或者實驗室里高溫等離子體內(nèi)才存在這種離子。高電

2、荷態(tài)離子目前應用很廣泛，在原子結(jié)構(gòu)、核結(jié)構(gòu)的研究和驗證、相對論、量子電動力學、基本粒子物理的研究和檢驗以及對天體、核聚變等各類等離子體的研究和診斷都有著重要的作用。關(guān)于低速高電荷態(tài)離子同表面作用也成為其中很重要的研究工作，可以更好的了解表面結(jié)構(gòu)、探索新的結(jié)構(gòu)改性方法和相關(guān)納米技術(shù)的研究發(fā)展。 本論文參考處理低能高電荷態(tài)離子同表面相互作用過程中廣泛采用的經(jīng)典過壘模型來處理入射離子軌道能級上電荷轉(zhuǎn)移的變化和對入射離子運動狀態(tài)的影響，

3、并對這個過程設計相關(guān)程序通過計算機進行模擬。此外，針對高電荷態(tài)離子穿透非晶態(tài)靶物質(zhì)的碰撞散射過程中，考慮到電子云屏蔽的影響，引入屏蔽庫侖勢能，在很難得到解析描述的情況下，通過編寫算法計算散射截面及能量分布，并對模擬結(jié)果進行分析討論。 本論文的內(nèi)容分為以下幾個章節(jié)：第二章簡單說明當前HCI同表面作用的研究方向第三章詳解介紹COBM理論及相關(guān)知識；第四章是有關(guān)HCI在靶內(nèi)，同靶原子中的電子和靶核相互作用相關(guān)理論；第五章簡單介紹通用的