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文檔簡介
1、采用助熔劑提拉法生長出無宏觀缺陷、光學(xué)均勻性好的鐵摻量不同的化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體,研究總結(jié)出了最佳生長工藝參數(shù)。
通過對(duì)晶體 X-射線衍射結(jié)果的分析,發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)離子的摻入不會(huì)改變鈮酸鋰晶體原有的晶格結(jié)構(gòu),但是晶格常數(shù)會(huì)有所變化,并且晶格常數(shù)會(huì)隨著摻鐵量的提高逐步增大。通過分析晶體的紅外吸收光譜及紫外—可見吸收光譜,結(jié)合相關(guān)的缺陷結(jié)構(gòu)模型,研究了摻鐵化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體中雜質(zhì)離子的占位機(jī)理。
通過二波耦合實(shí)驗(yàn)研究了摻鐵化
2、學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的光折變性能,結(jié)果表明:隨著摻鐵濃度的提高,摻鐵近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的響應(yīng)時(shí)間增加。對(duì)于同一個(gè)摻鐵化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體樣品,氧化還原處理對(duì)晶體的光折變性能影響明顯,還原態(tài)有較短的寫入時(shí)間,而氧化態(tài)有較長的擦除時(shí)間。
衍射效率不僅與摻鐵量有關(guān)而且與寫入光強(qiáng)有關(guān)。低摻雜時(shí)衍射效率受摻鐵量的影響為主;而高摻雜時(shí),摻雜濃度和寫入光強(qiáng)同時(shí)影響著衍射效率。
利用透射光斑畸變法研究了摻鐵化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體摻雜
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