基于氮化鎵晶體管的1MHz自諧振復(fù)位正激變換器研究.pdf

1、硅（Silicon,Si）功率器件發(fā)展至今已接近其理論極限，難以滿足開關(guān)電源高頻、高效率、高功率密度及高可靠性的需求。低壓增強(qiáng)型氮化鎵(Enhancement Mode Gallium Nitride,eGaN)功率晶體管開關(guān)速度快、寄生參數(shù)小、電氣參數(shù)優(yōu)越，因而在高頻、高可靠性應(yīng)用場(chǎng)合受到廣泛關(guān)注。近年來，增強(qiáng)型低壓氮化鎵功率器件在該場(chǎng)合的應(yīng)用研究成為極有價(jià)值的工作。
　　本文首先分析了適用于航空二次電源的正激變換器拓?fù)?，指出?/p>

2、用自諧振復(fù)位方式的正激變換器具有優(yōu)越的高頻性能；對(duì)高頻工作情況下電路寄生參數(shù)的影響作出了具體分析，提供了自諧振復(fù)位正激變換器的設(shè)計(jì)參考；對(duì)于自諧振復(fù)位正激變換器的副邊同步整流電路，介紹總結(jié)了常見的高頻同步整流電路及其改進(jìn)方案；然后，比較并設(shè)計(jì)了適用于氮化鎵晶體管的高頻驅(qū)動(dòng)電路；論文指出了低壓氮化鎵功率晶體管較傳統(tǒng)硅管而言，具有較小的寄生參數(shù)，能夠有效減小電路寄生振蕩，提高電路高頻工作的可靠性，同時(shí)有利于減小器件損耗，提高變換器的效率。實(shí)