基于MoS2-InN異質結納米材料的制備及H2檢測性能研究.pdf

1、二維過渡金屬硫化物納米材料和Ⅲ-Ⅴ族半導體納米材料具有獨特的物理特性及優(yōu)異的電學性能，因而引起世界各國專家學者的廣泛關注。本論文分別從MoS2和InN納米材料的生長制備與測試表征、MoS2納米材料光催化降解性能和由MoS2/InN異質結納米材料所構成的檢測裝置對H2氣體性能檢測三方面進行相應的研究，包括：
　?。?）歸納和總結了InN納米材料和MoS2納米材料的晶體結構、物理基本特性和常見的一些制備方法，以及在微納半導體器件和基于

2、異質結器件的氣體檢測研究領域的應用情況。
　?。?）在覆蓋有60nm膠體金的Si基底上利用化學氣相沉積法（CVD）制備得到納米線、納米截角三角金字塔和納米葉三種不同形貌的InN納米材料。對三種材料的生長機理和發(fā)光特性進行詳細的研究，其中InN納米截角三角金字塔結構具有最強發(fā)光特性，預示著其可能在光學領域具有很好的應用前景。
　?。?）利用化學氣相沉積法生長MoS2納米材料，得到三角、四角、六角三種MoS2納米片層結構材料。經(jīng)

3、拉曼光譜研究初步確定三種不同結構的MoS2納米片的層數(shù)，以及基于MoS2材料本身的光催化特性，研究了其對甲基橙溶液的光催化降解作用，結果表明MoS2片層納米材料具有良好的光催化降解特性。
　?。?）利用兩步CVD法在SiO2/Si襯底上制備得到異質結MoS2/InN納米材料，主要包含InN納米線和四角MoS2納米片。制備了基于異質結MoS2/InN納米材料器件并研究其對H2氣體的測試性能，結果表明，基于MoS2/InN氣體檢測裝置