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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)于電子封裝技術(shù)的要求越來(lái)越高。COG封裝技術(shù)憑借著自身的優(yōu)勢(shì),已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)封裝技術(shù)。相比于傳統(tǒng)封裝技術(shù), COG封裝具有著綠色環(huán)保、高密度連接、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、加工工藝簡(jiǎn)單、重量輕以及尺寸小等優(yōu)勢(shì)。但是學(xué)者們對(duì)于多場(chǎng)耦合作用下,COG器件的疲勞及電學(xué)性能的研究還相對(duì)較少。本文主要對(duì)于恒溫條件下的COG器件的疲勞壽命和電阻變化情況以及鹽霧腐蝕預(yù)處理?xiàng)l件下的COG器件的力學(xué)及電學(xué)性能進(jìn)行研究,為COG封裝技術(shù)的發(fā)展及
2、進(jìn)步提供重要的指導(dǎo)。
利用微型疲勞試驗(yàn)機(jī)及加熱爐研究恒溫條件下COG器件的疲勞壽命和疲勞過(guò)程中電阻變化情況。結(jié)果表明:在一定溫度下,COG器件的疲勞壽命隨著循環(huán)載荷幅值的增加而逐漸降低;在一定載荷幅值作用下,COG器件的疲勞壽命隨著環(huán)境溫度的增加而逐漸降低;同時(shí),疲勞過(guò)程中COG器件的電阻變化情況不但與載荷幅值相關(guān),還與環(huán)境溫度有著很大的關(guān)系。
研究了鹽霧腐蝕對(duì)于COG器件的電阻的影響以及環(huán)境-電-力的耦合作用對(duì)于C
3、OG器件的粘接性能的影響。首先,通過(guò)研究鹽霧腐蝕對(duì)于COG器件的電阻的影響,發(fā)現(xiàn)COG器件的相對(duì)電阻隨著腐蝕的時(shí)間的增長(zhǎng)而增加;隨后,通過(guò)剪切破壞試驗(yàn)研究了鹽霧腐蝕時(shí)間對(duì)于COG器件的剪切強(qiáng)度和最大剪切位移的影響,發(fā)現(xiàn)COG的剪切強(qiáng)度和最大剪切位移均隨著鹽霧腐蝕時(shí)間的增長(zhǎng)而減小。
對(duì)于鹽霧腐蝕之后的COG器件采用疲勞試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行疲勞實(shí)驗(yàn),研究鹽霧腐蝕之后 COG器件的疲勞壽命和在疲勞過(guò)程中器件的電阻變化趨勢(shì)。研究表明,在恒定的載
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