TiO2薄膜及其紫外光電探測器的制備和研究.pdf

1、紫外光電探測器因在環(huán)境監(jiān)測、火災探測生物細胞癌變監(jiān)測和化學分析等方面有著廣泛應用，而最近幾年得到了諸多的關注。已經商業(yè)化主要是硅基的探測器，硅基探測器對紫外光的選擇性比較差，需要比較昂貴的可見、紅外光濾光器，因此，人們需要找到一種替代材料，來克服這種半導體的缺點。隨著納米薄膜制備技術的不斷發(fā)展，寬禁帶半導體已成為新一代光電探測器的理想材料。
　　禁帶寬度半導體的禁帶寬度一般比較寬，可以實現(xiàn)對紫外光的有效吸收，而對可見光幾乎不吸收，

2、這樣可以避免使用昂貴的濾光器而節(jié)約成本。近幾年，人們對多種寬禁帶半導體材料進行了比較充分的研究，也取得了豐碩的成果，如GaN，SiC，ZnO，TiO2和金剛石等。
　　TiO2材料具有制備工藝簡單，物理化學性質穩(wěn)定等優(yōu)點，禁帶寬度大約為3.0-3.2eV，理論上只對小于380nm的光才有響應，因此非常適合紫外光的探測。目前制備TiO2薄膜的方法較多，采用不同方法制備的薄膜在質量上也會有差別。
　　本文以鍍有透明導電FTO薄膜

3、的玻璃為襯底，采用液相沉積法(LPD)在550℃退火的條件下制備了銳鈦礦相的TiO2顆粒膜，對其結構、形貌和光學性質進行了研究測試，并在TiO2顆粒膜上用旋涂法制備一層有機半導體2，2’，7，7’-四[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9’-螺二芴(Spiro-MeOTAD)薄膜，然后用蒸發(fā)臺蒸上一層厚度為50nm的金電極，制作了FTO/n-TiO2/p-Spiro-MeOTAD異質結固態(tài)紫外光電探測器。并對器件的光譜響應特性、I

4、-T特性、I-V特性進行了測試，器件的波長響應在300-550nm范圍測得。在0V偏壓的條件下，光電探測器在波長為315-430nm之間的光產生響應，響應度的最大值出現(xiàn)在385nm處，為0.027A/W，響應度比較高，可見這種光電探測器對紫外光有比較好的選擇性。I-T特性、I-V特性曲線，在波長385nm強度為0.22mW/cm2的紫外光的照射下測量得到。器件的I-T特性共進行了8個周期的測試，光源打開和關閉的時間均為10s，器件工作時