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1、 本文采用提拉法生長(zhǎng)了沒有宏觀缺陷、光學(xué)均勻性較好的系列銦錳鐵鈮酸鋰晶體。利用晶體的紅外透射光譜和紫外-可見吸收光譜分析了雜質(zhì)In3+在摻雜LiNbO3晶體中的摻雜閾值濃度及其占位情況,并提出了In3+在晶體中的占位模型。用光斑畸變法測(cè)定了In:Mn:Fe:LiNbO3晶體的抗光損傷性能。采用二波耦合光路,使用輸出功率30mW的He-Ne激光器進(jìn)行單光子寫入與擦除試驗(yàn)。結(jié)果表明In3+的摻入可以提高擦除時(shí)間與響應(yīng)時(shí)間之比。以He-
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