半導體對稱雙量子阱中等離激元性質(zhì)的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于在揭示電子-電子相互作用機制方面的重要性,半導體低維結(jié)構(gòu)(超晶格、量子阱、量子線和量子點等)中集體激發(fā)性質(zhì)的研究成為目前凝聚態(tài)物理十分前沿的研究領域之一,受到了廣泛和持續(xù)的關(guān)注。近年來對半導體低維系統(tǒng)集體激發(fā)的研究主要集中在介電匹配的情形下。本文系統(tǒng)研究了由于介電失配產(chǎn)生的鏡像勢對對稱半導體雙量子阱系統(tǒng)中等離激元性質(zhì)的影響,并比較了介電匹配與失配下等離激元頻率譜的差異。 我們在單電子哈密頓量的本征矢空間中得到了對稱半導體雙量

2、子阱系統(tǒng)基于無規(guī)相近似下的介電函數(shù),并在二子帶模型下推導了確定對稱雙量子阱系統(tǒng)中子帶內(nèi)與子帶間等離激元的方程。應用鏡像法求出了系統(tǒng)鏡像電荷的大小及位置,得出了包含鏡像力勢的相互作用勢的表達式。 研究中發(fā)現(xiàn)在介電匹配與失配兩種情況下均存在兩支集體激發(fā)模,能量較高的一支代表子帶間的集體激發(fā),能量較低的一支代表子帶內(nèi)的集體激發(fā),兩者相互獨立。與介電匹配時相比,由于鏡像勢的存在,子帶內(nèi)與子帶間等離激元模均發(fā)生變化,帶間等離激元模變化尤其

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