2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、二硫化鉬(MoS2)是具有類似石墨烯二維層狀結(jié)構(gòu)的新型納米材料,但與石墨烯的零帶隙特性不同,其本身就具有一定的帶隙寬度,是天然的半導(dǎo)體材料,這也使它表現(xiàn)出眾多優(yōu)良的物理、化學(xué)特性,在固體潤滑劑、電池正極材料、場效應(yīng)晶體管、分子傳感器以及光電探測器等領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用,成為目前研究最熱門的半導(dǎo)體材料之一。而在實際中,半導(dǎo)體材料并不能直接進行應(yīng)用,還需要對其禁帶寬度、邊緣電位等進行必要的調(diào)控,以滿足不同應(yīng)用電學(xué)特性的要求,本文基于以上原因開

2、展了對單層MoS2電子能帶調(diào)控的仿真研究。在研究工作中,我們采用了兩種常用的能帶調(diào)控方法—摻雜調(diào)控、空位缺陷調(diào)控,分別對單層MoS2能帶結(jié)構(gòu)調(diào)控進行了理論仿真,研究主要結(jié)果如下:
 ?。?)基于第一性原理的DFT方法,探究了非金屬元素Se摻雜對單層MoS2電子能帶的影響,以及摻雜后對其應(yīng)用于光解水領(lǐng)域的影響。將計算數(shù)據(jù)進行合理的修飾后得出,未摻雜體系的單層MoS2具有1.740 eV的禁帶寬度,且它的高對稱點均在布里淵區(qū)K點,能帶

3、結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為直接帶隙。合適濃度的Se元素摻雜計算結(jié)果表明,摻雜后對單層MoS2的帶隙寬度并沒有太大影響,但分析其能帶邊緣電位發(fā)現(xiàn),導(dǎo)帶底與價帶頂電位均出現(xiàn)較小幅度的下移,恰好平衡了它應(yīng)用于光催化分解水時氧化、還原反應(yīng)的效率。此外,通過形成能計算發(fā)現(xiàn),Se元素摻雜后體系的形成能較低,熱力學(xué)性能穩(wěn)定,證明摻雜體系也較容易實現(xiàn)。
 ?。?)基于第一性原理的DFT方法,探究了過渡金屬元素Nb摻雜對單層 MoS2電子能帶的影響,以及摻雜后對其

4、應(yīng)用于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的影響。計算結(jié)果表明,Nb摻雜會導(dǎo)致它的帶隙寬度減小,且隨著濃度的不斷增加,減小越多。通過分析其不同濃度摻雜體系的態(tài)密度圖發(fā)現(xiàn),Nb摻雜會使得單層MoS2的導(dǎo)帶底向左移動,且濃度越高移動的也越多,而價帶頂變化較小,致使其帶隙值大幅減小,這將使它的電流開關(guān)比、導(dǎo)電性等電學(xué)性能都得到顯著提升。此外,通過形成能計算發(fā)現(xiàn),Nb元素摻雜后體系的形成能較低,表明摻雜體系也較容易實現(xiàn)。
 ?。?)基于第一性原理的 DFT方法

5、,探究了3種不同空位缺陷(VS、VMo、VMoS6)對單層MoS2電子能帶結(jié)構(gòu)的影響。計算結(jié)果表明,空位缺陷會引起其周圍的晶格發(fā)生畸變,與本征的相比,缺陷附近的S-Mo-S鍵角均相對減小。由其能帶計算結(jié)果表明,3種空位缺陷均在單層MoS2禁帶中引入了新的缺陷能級,使得其帶隙值大幅減小。其中VS空位引入的缺陷能級處于禁帶較為居中的部位,而VMo、VMoS6空位引入的缺陷能級均離價帶頂較近,但未越過費米能級。此外,通過對比其態(tài)密度結(jié)果發(fā)現(xiàn),

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