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1、該論文采用固相反應(yīng)法制備了稀土位雙摻雜(La<,1-x>Pr<,x>)<,2/3>Sr<,1/3>Mn0<,3>(x=1,1/3,2/3,1)系列鈣鈦礦錳氧化物靶材,并用直流磁控濺射方法在LaAlO<,3>襯底上生長了薄膜.XRD分析表明所制備的靶材為畸變的鈣鈦礦贗立方結(jié)構(gòu),薄膜為單晶外延結(jié)構(gòu).實驗研究了上述系列材料的電阻溫度特性并對其曲線進行了擬合分析,表明低溫時材料呈現(xiàn)金屬電導(dǎo)性,電阻主要來自電子自旋相關(guān)散射.在高溫部分,材料呈現(xiàn)小
2、極化子跳躍形式輸運特征;實驗研究了不同偏置電流對薄膜的相變影響,表明電場可以引起材料中磁性的變化和晶格畸變,導(dǎo)致相變溫度點向低溫方向移動;材料的光致相變研究表明光子能量、光強和極化方向?qū)斶\性質(zhì)有影響.光子通過激發(fā)e<,g>向下電子的躍遷,從而改變材料自旋極化方向,影響體系的輸運行為;首次研究了CMR薄膜的激光反射率和偏置電流的關(guān)系,并用固體光學理論對其定性分析,表明反射率的變化是由于電場引起材料的晶格畸變,改變了極化率,從而導(dǎo)致材料的
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