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文檔簡介
1、隨著電器的小型化、高頻化,工作頻率已經進入到MHz、GHz頻段。其中使用的片式電感器、變壓器等磁性元器件也向這個方向發(fā)展。而做為具有高Bs高ρ的Fe-Al-O納米晶磁性薄膜能很好的滿足高頻使用條件。本論文采用射頻磁控濺射法制備了Fe-Al-O薄膜,系統的研究了Al含量對薄膜的結構和磁性的影響,重點研究了制備條件對Fe83.49Al16.51-O薄膜結構和磁性能的影響。得到結論如下: 1.確定薄膜的成分:隨著Fe-Al-O薄膜中A
2、l原子增加,晶粒的平均尺寸減小,薄膜有很好的單一(110)面取向,飽和磁化強度Ms單調遞減,而矯頑力確實先下降再上升,薄膜的各向異性增強,電阻率急劇增加。由此,若要獲得好的高頻軟磁性能,Al的成分應控制在16%左右。 2.確定濺射氣壓:在濺射氣壓為2mTorr時,薄膜有單一的(110)面取向,矯頑力達到180A/m,平均晶粒尺寸在13nm左右。濺射氣壓再增大,薄膜出現非晶,矯頑力也隨之增大。得出,在濺射氣壓為2mTorr時,薄膜
3、有好的軟磁性。 3.確定濺射濺射功率:功率對薄膜的磁性影響很大,400W時,矯頑力降低到130A/m,也有很好的(110)面取向。所以我們取400W作實驗的濺射功率。 4.確定薄膜厚度:隨著薄膜厚度的增大,出現(211)峰,矯頑力也隨之增大,在500nm時,有很強的(110)取向,矯頑力也最低。我們確定薄膜的厚度應在500nm左右。 5.確定氧成分:由于Al2O3中氧含量有限,沒有充足的氧參加進去,故在實驗時通入
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