MgB-,2-與Bi系超導(dǎo)材料的正電子湮沒研究.pdf

1、利用正電子湮沒技術(shù)、X射線衍射方法、差熱-熱重分析系統(tǒng)的研究了激光輻射對(duì)MgB2超導(dǎo)樣品的影響，發(fā)現(xiàn)正電子的壽命不僅與晶體的結(jié)構(gòu)缺陷有關(guān)，而且與樣品的密度，或晶粒間的孔隙度有關(guān)：孔隙度越大，正電子湮沒壽命越長。對(duì)光照后的MgB2的正電子壽命譜的研究發(fā)現(xiàn)，隨著光摻雜的增加，樣品的缺陷運(yùn)動(dòng)機(jī)制發(fā)生變化，光照使得MgB2樣品中的平均電子濃度增加，由3.43×1029m-3上升為3.54×1029m-3，得出由于光輻照激活缺陷的結(jié)論，這可能與M

2、g空位的產(chǎn)生有關(guān)。 氧含量是影響B(tài)i系超導(dǎo)體超導(dǎo)電性的重要因素，我們利用固相反應(yīng)法制備了Bi(Pb)2212，2223相超導(dǎo)樣品，研究了制備工藝對(duì)Bi系超導(dǎo)電性的影響，找到最佳合成途徑。不同氧壓下700℃退火處理10小時(shí)后再次進(jìn)行上述實(shí)驗(yàn)，分別對(duì)樣品進(jìn)行了XRD物相分析及計(jì)算晶胞參數(shù)、Tc測量檢驗(yàn)超導(dǎo)電性、正電子湮沒實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明：通氧和真空熱處理都能起到調(diào)節(jié)樣品載流子濃度的作用，由Tc與CuO層中載流子濃度的關(guān)系可以看出載流子